[实用新型]一种利于点锡扩散的引线框架有效
申请号: | 201320358472.5 | 申请日: | 2013-06-21 |
公开(公告)号: | CN203300636U | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 师成志 | 申请(专利权)人: | 四川金湾电子有限责任公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
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地址: | 629000 四川省遂宁*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利于 扩散 引线 框架 | ||
技术领域
本实用新型涉及引线框架,具体涉及到一种利于点锡扩散的引线框架。
背景技术
半导体引线框架需要在载片部上涂上锡层,在半导体引线框架的点锡过程中,锡液不易扩散,将导致引线框架的成本升高。实际过程中通常需要对引线框架进行处理,否则不能使锡很好的扩散在引线框架的表面,因此引线框架材料的表面处理有着非常重要的意义。现有的引线框架表面处理工艺是在引线框架的表面冲压田字格,该工艺存在两点缺陷:一是锡液的扩散效果不佳;二是生产过程中冲压田字格的加工成本高,工件容易崩裂,更换备件次数多会增加能源耗用和浪费人力,使成本大大增加。
为了解决现有技术中的上述不足,本实用新型提出了一种新的解决方案。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种利于锡液均匀扩散在载片部表面的引线框架,提高点锡工艺的效率。
为达上述目的,本实用新型所采用的技术方案是:提供一种利于点锡扩散的引线框架,包括载片部和若干引线脚,在载片部上设有多个突出部,相邻的突出部之间有凹槽。
优选的,突出部呈矩阵排列,在矩阵中,同排或同列的相邻突出部之间的间距相同。
优选的,载片部上设有环状凹槽。
综上所述,本实用新型具有以下优点:
在引线框架的载片部上冲压有多个间距较小的突出部和凹槽,使锡液在引线框架上的扩散效果更好更均匀,并且吸附效果增强。
附图说明
图1为引线框架的示意图;
图2为载片部沿A-A线的端面剖视图;
图3为突出部和凹槽在载片部上的排列图。
其中,1、载片部;2、引线脚;3、突出部;4、凹槽;5、环状凹槽。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。
如图1至图2所示,本实用新型提供了一种利于点锡扩散的引线框架,包括载片部1和若干引线脚2,载片部1上设有多个突出部3,突出部3是使用模具冲压而成,突出部3的顶部与载片部1的上表面处于同一平面。冲压后,相邻的突出部3之间有凹槽4,凹槽4使每个突出部3保持独立。
在点锡工艺时,将引线框架通过使用氮气和氢气密封的轨道内加热,焊头点锡装置安装在轨道上方,将锡球加热后滴加到引线框架的载片部1,并使锡液扩散到凹槽4内部,锡液填充在凹槽4内部后,将覆盖在载片部1的上表面形成一层锡层。锡球在引线框架上的分散效果很好,整体均匀,吸附紧密。
进一步的,如图3所示,所有的突出部3呈矩阵排列。矩阵包含行和列,行与列相互垂直。在同一排的相邻突出部3之间的间距相同,在同一列的相邻突出部3之间的间距也相同。
进一步的,载片部1上设有环状凹槽5。
虽然结合附图对本实用新型的具体实施方式进行了详细地描述,但不应理解为对本专利的保护范围的限定。在权利要求书所描述的范围内,本领域技术人员不经创造性劳动即可作出的各种修改和变形仍属本专利的保护范围。
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