[实用新型]一种由互补传输门和MOS电容器构成的像素单元电路有效

专利信息
申请号: 201320358665.0 申请日: 2013-06-21
公开(公告)号: CN203397671U 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 代永平;李明;刘宇佳;刘彐娇;史景祎;赵瑜;刘艳艳 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36
代理公司: 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 代理人: 侯力
地址: 300071*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 互补 传输 mos 电容器 构成 像素 单元 电路
【权利要求书】:

1.一种由互补传输门和MOS电容器构成的像素单元电路,其特征在于该电路主要由1个PMOS晶体管(8)、1个NMOS晶体管(19)、1个PMOS电容器(13)和一个NMOS电容器(26)组成;其中,PMOS晶体管(8)和NMOS晶体管(19)以电学并联关系形成互补传输门(27),PMOS电容器(13)和NMOS电容器(26)以电学并联关系形成MOS电容器(28),互补传输门(27)再与MOS电容器(28)形成电学串联。 

2.根据权利要求1所述的由互补传输门和MOS电容器构成的像素单元电路,其特征在于所述的PMOS型电容器(13)中,PMOS型电容器的源极(9)、PMOS型电容器的漏极(11)和PMOS型电容器的背电极(10)相互连通,且连接到电源线(4); 

所述的NMOS型电容器(26)中,NMOS型电容器的源极(22)、NMOS型电容器的背电极(23)和NMOS型电容器的漏极(24)相互连通,且连接到地线(15)。 

3.根据权利要求1所述的由互补传输门和MOS电容器构成的像素单元电路,其特征在于所述的互补传输门(28)中,PMOS晶体管的栅极(5)接反相电压扫描线(2),PMOS晶体管的背电极(6)与电源线(4)连通; 

所述的互补传输门(28)中,NMOS晶体管的栅极(18)接正相电压扫描线(14),NMOS晶体管的背电极(17)与地线(15)连通; 

所述的互补传输门(28)中,数据输入线(1)把PMOS晶体管的源极(3)和NMOS晶体管的源极(16)连通,PMOS晶体管的漏极(7)和NMOS晶体管的漏极(20)连通且连接到输出电极线(21); 

所述的MOS电容器(27)中,PMOS电容器的栅极(12)与NMOS电容器的栅极(25)连通且连接到输出电极线(21)。 

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