[实用新型]一种由互补传输门和MOS电容器构成的像素单元电路有效
申请号: | 201320358665.0 | 申请日: | 2013-06-21 |
公开(公告)号: | CN203397671U | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 代永平;李明;刘宇佳;刘彐娇;史景祎;赵瑜;刘艳艳 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 互补 传输 mos 电容器 构成 像素 单元 电路 | ||
1.一种由互补传输门和MOS电容器构成的像素单元电路,其特征在于该电路主要由1个PMOS晶体管(8)、1个NMOS晶体管(19)、1个PMOS电容器(13)和一个NMOS电容器(26)组成;其中,PMOS晶体管(8)和NMOS晶体管(19)以电学并联关系形成互补传输门(27),PMOS电容器(13)和NMOS电容器(26)以电学并联关系形成MOS电容器(28),互补传输门(27)再与MOS电容器(28)形成电学串联。
2.根据权利要求1所述的由互补传输门和MOS电容器构成的像素单元电路,其特征在于所述的PMOS型电容器(13)中,PMOS型电容器的源极(9)、PMOS型电容器的漏极(11)和PMOS型电容器的背电极(10)相互连通,且连接到电源线(4);
所述的NMOS型电容器(26)中,NMOS型电容器的源极(22)、NMOS型电容器的背电极(23)和NMOS型电容器的漏极(24)相互连通,且连接到地线(15)。
3.根据权利要求1所述的由互补传输门和MOS电容器构成的像素单元电路,其特征在于所述的互补传输门(28)中,PMOS晶体管的栅极(5)接反相电压扫描线(2),PMOS晶体管的背电极(6)与电源线(4)连通;
所述的互补传输门(28)中,NMOS晶体管的栅极(18)接正相电压扫描线(14),NMOS晶体管的背电极(17)与地线(15)连通;
所述的互补传输门(28)中,数据输入线(1)把PMOS晶体管的源极(3)和NMOS晶体管的源极(16)连通,PMOS晶体管的漏极(7)和NMOS晶体管的漏极(20)连通且连接到输出电极线(21);
所述的MOS电容器(27)中,PMOS电容器的栅极(12)与NMOS电容器的栅极(25)连通且连接到输出电极线(21)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南开大学,未经南开大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320358665.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种反应釜加热装置
- 下一篇:远程控制装置的LED全彩显示屏