[实用新型]一种抗静电的发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201320358928.8 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN203406318U | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 牛志宇 | 申请（专利权）人： | 东莞市德颖光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 李玉平 |
| 地址： | 523330 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抗静电 发光二极管 外延 | ||
1.一种抗静电的发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上从下至上依次设有GaN缓冲层、GaN下电流扩展层、下导电层、发光层、上导电层、GaN上电流扩展层；所述GaN下电流扩展层连接有第一电极，所述GaN上电流扩展层连接有第二电极；其特征在于：在GaN缓冲层和GaN下电流扩展层之间还设有AIGaN过渡层和高温GaN缓冲层。
2.根据权利要求1所述的一种抗静电的发光二极管外延片，其特征在于：所述蓝宝石衬底与GaN缓冲层之间设有InGaN过渡层。
3.根据权利要求1或2所述的一种抗静电的发光二极管外延片，其特征在于：所述GaN下电流扩展层为P型GaP电流扩展层，所述下导电层为P型GaN导电层，所述上导电层为n型GaN导电层，所述GaN上电流扩展层为n型GaP电流扩展层。
4.根据权利要求1或2所述的一种抗静电的发光二极管外延片，其特征在于：所述GaN下电流扩展层为n型GaP电流扩展层，所述下导电层为n型GaN导电层，所述上导电层为P型GaN导电层，所述GaN上电流扩展层为n型GaP电流扩展层。
5.根据权利要求1或2所述的一种抗静电的发光二极管外延片，其特征在于：所述GaN缓冲层包括低温GaN缓冲层和高温GaN缓冲层。
6.根据权利要求2所述的一种抗静电的发光二极管外延片，其特征在于：所述InGaN过渡层厚度为8um。
7.根据权利要求6所述的一种抗静电的发光二极管外延片，其特征在于：蓝宝石衬底厚度为：70~100um。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市德颖光电有限公司，未经东莞市德颖光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320358928.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
