[实用新型]一种抗静电的发光二极管外延片

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体发光技术领域，具体地说，涉及一种抗静电的发光二极管外延片。

背景技术

半导体照明是一种新型的高效光源，具有节能、环保和寿命长等特点。结合目前社会能源紧张的局面，使得半导体照明得到迅速的推广和应用，无论是工业照明还是民用照明。

目前实现半导体发白光有3种方式，1、以蓝、红、绿发光二极管混合封装于二极管中，通过光的混合达到白光；2、通过在蓝光二极管芯片上涂敷黄色荧光粉，蓝光和黄光混合得到白光；3、在紫外LED芯片上涂敷3中基色的荧光粉，，紫外光激发红、绿、蓝光，混合得到白色光。目前主要以第二种为主，因此制备发蓝光二极管非常重要，即蓝色发光二极管。目前蓝色发光二极管主要以蓝宝石为基底，电子层的氮化镓在该基底上生长成型，由于氮化镓与衬底蓝宝石之间的晶格失配度较大，造成氮化镓的生长缺陷较大，这些缺陷容易造成p-n结发生隧道击穿，从而大大降低了其抗静电能力，进而造成蓝光发光二极管的抗静电能力较差。

发明内容

本实用新型的目的在于解决现有技术的不足，提供一种抗静电的发光二极管外延片，该发光二极管外延片在生长成型时，增加了一层超晶体结构，使得该发光二极管具有较高的抗静电能力。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案为：

一种抗静电的发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上从下至上依次设有GaN缓冲层、GaN下电流扩展层、下导电层、发光层、上导电层、GaN上电流扩展层；所述GaN下电流扩展层连接有第一电极，所述GaN上电流扩展层连接有第二电极；在GaN缓冲层和GaN下电流扩展层之间还设有AIGaN过渡层和高温GaN缓冲层。

进一步地，所述蓝宝石衬底与GaN缓冲层之间设有InGaN过渡层。

进一步地，所述InGaN过渡层厚度为8um。

进一步地，蓝宝石衬底厚度为：70~100um。

进一步地，所述GaN下电流扩展层为P型GaP电流扩展层，所述下导电层为P型GaN导电层，所述上导电层为n型GaN导电层，所述GaN上电流扩展层为n型GaP电流扩展层。

进一步地，所述GaN下电流扩展层为n型GaP电流扩展层，所述下导电层为n型GaN导电层，所述上导电层为P型GaN导电层，所述GaN上电流扩展层为n型GaP电流扩展层。

进一步地，所述GaN缓冲层包括低温GaN缓冲层和高温GaN缓冲层。

本实用新型取得的有益效果为：本实用新型通过设置AIGaN过渡层和InGaN过渡层，使得GaN在蓝宝石衬底上生长的缺陷得到有效抑制，有利于提高发光二极管的抗静电能力，P-n结不易被击穿。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

附图标记为：

1——蓝宝石衬底                       2——低温GaN缓冲层

3——高温GaN缓冲层              4——下导电层

5——发光层                              6——上导电层

7——GaN上电流扩展层           8——第二电极

9——第一电极                           10——GaN下电流扩展层

11——AIGaN过渡层                12——InGaN过渡层。

具体实施方式

下面结合附图1对本实用新型做进一步地说明。

实施例1：一种抗静电的发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底1，所述蓝宝石衬底1上从下至上依次设有GaN缓冲层、GaN下电流扩展层10、下导电层4、发光层5、上导电层6、GaN上电流扩展层7；所述GaN下电流扩展层连接有第一电极9，所述GaN上电流扩展层连接有第二电极8；在GaN缓冲层和GaN下电流扩展层之间还设有AIGaN过渡层11和高温GaN缓冲层3。其中，所述GaN下电流扩展层10为P型GaP电流扩展层，所述下导电层4为P型GaN导电层，所述上导电层6为n型GaN导电层，所述GaN上电流扩展层7为n型GaP电流扩展层。

此时第一电极为P型电极，第二电极为n型电极。