[实用新型]一种过饱和掺杂高效异质结电池有效

申请号：	201320364060.2	申请日：	2013-06-21
公开（公告）号：	CN203325954U	公开（公告）日：	2013-12-04
发明（设计）人：	赵会娟;张东升	申请（专利权）人：	国电光伏有限公司
主分类号：	H01L31/077	分类号：	H01L31/077;H01L31/0352;H01L31/0224
代理公司：	南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204	代理人：	柏尚春
地址：	214213 江苏省无锡市宜兴***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	一种过饱和掺杂高效异质结电池
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【权利要求书】：

1.一种过饱和掺杂高效异质结电池，包括晶硅（3）、正电极1、从上至下依次位于晶硅（3）背面的非晶硅薄膜、导电薄膜（6）和金属电极（7），其特征在于：所述晶硅（3）上表面为掺入过饱和硒元素形成的硅-硒掺杂层（2），所述正电极（1）位于硅-硒掺杂层（2）上。

2.根据权利要求1所述的一种过饱和掺杂高效异质结电池，其特征在于：所述非晶硅薄膜包括从上至下的本征非硅薄膜（4）和P+型非晶硅薄膜（5）。

3.根据权利要求2所述的一种过饱和掺杂高效异质结电池，其特征在于：所述本征非晶硅薄膜（4）和P+型非晶硅薄膜（5）都为氢化纳米硅薄膜。

4.根据权利要求1所述的一种过饱和掺杂高效异质结电池，其特征在于：所述导电薄膜（6）为透明导电膜（TCO）。

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