[实用新型]半导体存储介质高电压销毁装置有效
申请号: | 201320382900.8 | 申请日: | 2013-06-28 |
公开(公告)号: | CN203408968U | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 赵龙;王恬恬 | 申请(专利权)人: | 北京和升达信息安全技术有限公司 |
主分类号: | B09B3/00 | 分类号: | B09B3/00 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 赵郁军 |
地址: | 100039 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 介质 电压 销毁 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种销毁存储介质的装置,特别是涉及一种利用高电压对半导体存储介质进行销毁的装置。
背景技术
目前,半导体存储介质,如固态存储盘、U盘、IC卡、CF卡等以其低功耗、无噪音、便利性、不依靠机械运动、环境温度适应性强等特点得到了广泛的应用。由于涉密单位对存储介质的销毁有着严格的要求,因而各种各样的半导体存储介质如何彻底销毁也成为一个新的问题。
现在常使用机械粉碎方法销毁半导体存储介质,即针对存储介质的不同材料,分别对固态存储盘、U盘、IC卡、CF卡等进行机械粉碎处理,但是,现有的机械粉碎销毁装置一般体积较大,需要占用较大的办公空间,且存在粉碎不彻底、处理时间长等问题。
实用新型内容
鉴于上述原因,本实用新型的目的在于提供一种半导体存储介质高电压销毁装置,该装置利用高电压对半导体存储介质进行销毁,销毁后的半导体存储介质信息不可恢复,装置体积小、处理时间短且销毁较为彻底。
为实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:
半导体存储介质高电压销毁装置,它包括:
壳体,壳体上设有存储介质接插口,壳体上装设有用于罩住该存储介质接插口及接插于该存储介质接插口上的存储介质的防爆罩;
壳体内安装有控制芯片及电源电路,该电源电路的第一电压输出端与该控制芯片的电源输入端相连接,该电源电路的第二电压输出端通过控制开关与该存储介质接插口相连接,该控制芯片的控制信号输出端与该控制开关相连接。
进一步地:
所述第二电压输出端输出的电压值高于半导体存储介质中电子元器件的击穿电压。
所述壳体上设有控制按钮,该控制按钮与所述控制芯片的控制信号输入端相连接。
所述壳体上还设有显示单元,该显示单元与所述控制芯片的数据输出端相连接。
所述存储介质接插口为固态存储盘的电源接口、U盘的USB接口、IC卡插槽、手机存储卡插槽、SD卡接口、CF卡接口、MMC卡接口等中的任意一种。
半导体存储介质通过连接线缆与所述存储介质接插口相连接。
所述第一电压输出端输出5V电压,所述第二电压输出端输出不低于36V的电压。
所述第二电压输出端输出的电压值大于110V小于3000V。
所述控制开关是继电器或是三极管等开关型器件。
所述壳体由工程塑料或是金属材质制成。
本实用新型的优点在于:
本实用新型的半导体存储介质高电压销毁装置,利用高电压对半导体存储介质进行销毁,销毁后的半导体存储介质信息不可恢复,可以保证存储介质中的信息不会泄露,且装置使用方便、体积小、处理时间短、销毁较为彻底。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是本实用新型一具体实施例的电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步详细的说明。
图1是本实用新型的结构示意图,图2是本实用新型一具体实施例的电路原理图。如图所示,本实用新型公开的半导体存储介质高电压销毁装置包括壳体,壳体上设有存储介质接插口4、控制按钮5、显示单元6,壳体上还装设有防爆罩1,该防爆罩1用于罩住存储介质接插口4及接插于存储介质接插口4上的存储介质;
壳体内安装有控制芯片7及电源电路2;外部电源与电源电路2的输入端21相连接,电源电路2的第一电压输出端22与控制芯片7的电源输入端相连接,电源电路2的第二电压输出端23通过控制开关3与存储介质接插口4相连接,控制芯片7的控制信号输出端与控制开关3相连接,用于控制控制开关3的导通和断开;控制按钮5与控制芯片7的控制信号输入端相连接,显示单元6与控制芯片7的数据输出端相连接。
存储介质接插口4用于接插需要销毁的半导体存储介质,根据半导体存储介质的不同种类,可设置不同类型的接口,比如连接固态存储盘的电源接口、连接U盘的USB接口、IC卡插槽、手机存储卡插槽、SD卡接口、CF卡接口、MMC卡接口等等。为方便使用,各种半导体存储介质可通过具有相应接口的连接线缆与对应的存储介质接插口4相连接。
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