[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板及显示器有效
| 申请号： | 201320386899.6 | 申请日： | 2013-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN203312302U | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 阎长江;蒋晓纬;姜晓辉;谢振宇;陈旭 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 显示器 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括源极和漏极、半导体有源层、栅极绝缘层和栅极，其特征在于，该薄膜晶体管还包括：位于源极与漏极之间的遮光板，所述遮光板将源极与漏极阻断，所述遮光板位于半导体有源层的入射光侧，阻挡入射光对半导体有源层的照射。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光板的材料为金属钛的氧化物或金属铝的氧化物。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和所述漏极为双层结构或多层结构，所述源极包括第一源极层和第二源极层；所述漏极包括第一漏极层和第二漏极层；其中，第一源极层和第一漏极层位于衬底基板上，第二源极层位于第一源极层上并覆盖第一源极层，第二漏极层位于第一漏极层上并覆盖第一漏极层。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二源极层和/或第二漏极层为锯齿状保护层。
5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一源极层的材料为钛Ti或铝Al金属；所述第一漏极层的材料为钛Ti或铝Al金属。
6.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二源极层的材料为钼Mo或铬Cr金属；所述第二漏极层的材料为钼Mo或铬Cr金属。
7.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求1-6任一权项所述的薄膜晶体管。
8.一种显示器，其特征在于，所述显示器包括权利要求7所述的阵列基板。
9.根据权利要求8所述的显示器，其特征在于，所述显示器包括与所述阵列基板平行设置的彩膜基板，以及位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层。
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