[实用新型]一种集成热敏电阻的场效应管有效

专利信息
申请号: 201320402132.8 申请日: 2013-07-05
公开(公告)号: CN203351578U 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 黎国伟 申请(专利权)人: 广州成启半导体有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L29/772;H01L23/31
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 谭英强
地址: 510630 广东省广州市高新技*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 集成 热敏电阻 场效应
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种半导体器件,特别是涉及一种集成热敏电阻的散热效果好的场效应管。

背景技术

目前常用的场效应管主要由环氧树脂封装体以及封装在环氧树脂封装体内部的芯片和引线框架等组成。而现有的大电流场效应管一般采用TO-220封装,采用TO-220封装可以装载大尺寸的芯片,但是芯片在通电后由于大电流而产生高热量容易导致场效应管温度不停上升,从而导致场效应管的电参数发生变化,进一步导致场效应管的温度升高,当温度上升到一定程度时,场效应管将失效且无法恢复。因此,目前的TO-220封装已经无法满足大电流场效应管的散热需求。

实用新型内容

为了解决上述的技术问题,本实用新型的目的是提供一种散热效果好的集成热敏电阻的大电流场效应管。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:

一种集成热敏电阻的场效应管,包括热沉、绝缘外壳、场效应管芯片、漏极引脚、栅极引脚、源极引脚及热敏电阻;

所述热沉嵌在绝缘外壳的外表面上并与绝缘外壳构成一密闭的封装腔体,所述热沉与漏极引脚连为一体,所述漏极引脚的根部及源极引脚的根部固定在绝缘外壳上并伸入封装腔体内;

所述栅极引脚包括第一引脚区域、第二引脚区域及绝缘区域,第一引脚区域及第二引脚区域通过绝缘区域连接,第一引脚区域完全伸入封装腔体内,第二引脚区域固定在绝缘外壳上并伸入封装腔体内;

所述场效应管芯片设置在热沉的正面中间处,所述场效应管芯片的漏极直接贴装在热沉上,所述场效应管芯片的栅极通过第一金线与第一引脚区域连接,所述热敏电阻的一接触端通过导电胶固定在第一引脚区域上,所述热敏电阻的另一接触端通过导电胶固定在第二引脚区域上,所述场效应管芯片的源极通过第二金线与源极引脚连接。

进一步,所述封装腔体内填充有用于包覆热沉的正面、漏极引脚的根部、栅极引脚的根部、源极引脚的根部、第一金线、第二金线、热敏电阻及场效应管芯片的导热绝缘胶体。

进一步,所述场效应管还设置有贯穿热沉、封装腔体及绝缘外壳的定位孔。

进一步,所述绝缘外壳上还设有第一定位槽及第二定位槽,所述第一定位槽和第二定位槽与定位孔处于同一水平线上。

进一步,所述绝缘外壳的厚度为4~6mm,所述绝缘外壳的长度为20~22mm,所述绝缘外壳的宽度为15~18mm,所述热沉的厚度为0.8~1.2mm,所述热沉的长度为15~18mm,所述热沉的宽度为12~15mm。

进一步,所述漏极引脚、栅极引脚及源极引脚的厚度均为0.5mm,所述栅极引脚的根部宽度及源极引脚的根部宽度均为1.0mm,所述漏极引脚的根部宽度为1.5mm。

进一步,所述第一金线及第二金线的直径为1.2μm。

本实用新型的有益效果是:本实用新型的一种集成热敏电阻的场效应管,在绝缘外壳上嵌有热沉,且热沉与场效应管的漏极引脚为一体化连接,场效应管芯片的漏极直接贴装在热沉上,源极及栅极分别通过金线连接到对应的引脚,散热效果更好,工作效率高,而且栅极上还串联了一个热敏电阻,可以避免场效应管温度过高的情况,延长了场效应管的使用寿命。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

图1是本实用新型的一种集成热敏电阻的场效应管的侧面示意图;

图2是本实用新型的一种集成热敏电阻的场效应管的正面示意图;

图3是本实用新型的一种集成热敏电阻的场效应管的背面示意图。

具体实施方式

参照图1、图2及图3,本实用新型提供了一种集成热敏电阻的场效应管,包括热沉1、绝缘外壳2、场效应管芯片3、漏极引脚4、栅极引脚5、源极引脚6及热敏电阻R;

所述热沉1嵌在绝缘外壳2的外表面上并与绝缘外壳2构成一密闭的封装腔体,所述热沉1与漏极引脚4连为一体,所述漏极引脚4的根部及源极引脚6的根部固定在绝缘外壳2上并伸入封装腔体内;

所述栅极引脚5包括第一引脚区域5-1、第二引脚区域5-2及绝缘区域5-3,第一引脚区域5-1及第二引脚区域5-2通过绝缘区域5-3连接,第一引脚区域5-1完全伸入封装腔体内,第二引脚区域5-2固定在绝缘外壳2上并伸入封装腔体内;因此,栅极引脚5的根部包括第一引脚区域5-1的全部、绝缘区域5-3的全部及第二引脚区域5-2的一部分;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州成启半导体有限公司,未经广州成启半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320402132.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top