[实用新型]绝缘栅半导体装置结构有效
| 申请号： | 201320419561.6 | 申请日： | 2013-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN203325907U | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | Z·豪森 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/36 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 半导体 装置 结构 | ||
1.一种绝缘栅半导体装置结构，其特征在于，所述绝缘栅半导体装置结构包括：
半导体材料的区域，其包括第一导电类型的半导体层并且具有主要表面；
第二导电类型的体区，其形成在从所述主要表面延伸的所述半导体层中；以及
沟槽结构，其形成在从邻近所述体区的所述主要表面延伸的所述半导体层中，并且其中所述沟槽结构包括：
绝缘栅极；以及
具有第一部分和第二部分的屏蔽电极，其中所述第一部分比所述第二部分宽，并且其中所述第一部分在所述栅极与所述第二部分之间，并且其中第一介电层使所述第一部分至少部分地与所述半导体层分离，并且其中比所述第一介电层厚的第二介电层使所述第二部分与所述半导体层分离。
2.如权利要求1所述的绝缘栅半导体装置结构，其特征在于，所述绝缘栅极包括通过第三介电层与所述半导体层分离的栅极，并且其中所述第三介电层比所述第一介电层薄。
3.如权利要求1所述的绝缘栅半导体装置结构，其特征在于，所述半导体层具有接近所述第一部分的第一掺杂浓度和接近所述第二部分的第二掺杂浓度，并且其中所述第一掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度。
4.如权利要求1所述的绝缘栅半导体装置结构，其特征在于，所述绝缘栅半导体装置结构进一步包括以与所述体区间隔的关系形成的源极区，并且其中所述绝缘栅极包括具有接近所述体区的宽阔部分和接近所述源极区的狭窄部分的栅极。
5.如权利要求1所述的绝缘栅半导体装置结构，其特征在于，所述绝缘栅半导体装置结构进一步包括形成在所述第一介电层与所述第一部分之间的介电衬垫。
6.如权利要求5所述的绝缘栅半导体装置结构，其特征在于，所述介电衬垫包括氮化物，并且其中所述第一介电层包括氧化物。
7.如权利要求1所述的绝缘栅半导体装置结构，其特征在于，所述绝缘栅极包括具有接近所述体区的宽阔部分和在所述宽阔部分与所述屏蔽电极之间的鳍部分的栅极。
8.如权利要求1所述的绝缘栅半导体装置结构，其特征在于，所述体区和所述半导体层形成结，并且其中接近所述结形成所述第一部分。
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