[实用新型]氮化镓基发光二极管

权利要求书

1.一种氮化镓基发光二极管，包括衬底、依次层叠在所述衬底上的n-GaN层、量子阱层和p-GaN层，依次层叠的所述n-GaN层、所述量子阱层和所述p-GaN层共同蚀刻有一台阶，所述台阶的低端设有n电极，所述台阶的高端层叠有一电流扩散层，所述电流扩散层的中部设有蚀空，所述电流扩散层的蚀空上方设有p电极，所述n电极和所述p电极均包括依次层叠的欧姆接触层、阻挡层和压焊层，其特征在于，所述压焊层的材料为镁铝合金。 

2.如权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于，所述压焊层的厚度为10000～15000埃。 

3.如权利要求2所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于，所述欧姆接触层的材料为铬，所述欧姆接触层的厚度为250～300埃。 

4.如权利要求2所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于，所述阻挡层的材料为钛，所述阻挡层的厚度为300～400埃。 

5.如权利要求2所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于，所述台阶的高度为13000～15000埃。 

6.如权利要求2所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于，所述电流扩散层的材料为氧化铟锡，所述电流扩散层的厚度为1000～1500埃。 

7.如权利要求6所述氮化镓基发光二极管电极结构，其特征在于，所述电流扩散层的蚀空内壁沿所述电流扩散层外壁的方向均匀开设有6个槽口。