[实用新型]氮化镓基发光二极管

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED芯片技术领域，特别涉及一种氮化镓基发光二极管。

背景技术

发光二级管可以将电能转化为光能。与传统的照明器件相比，发光二级管具有工作电压和电流低、寿命长、可靠性高以及亮度高等特点。

目前，应用最广泛的氮化镓基发光二极管包括：衬底、依次层叠在衬底上的是n-GaN层、量子阱层和p-GaN层。该依次层叠的n-GaN层、量子阱层和p-GaN层蚀刻有一台阶，该台阶的下方设有n电极，该台阶的上方层叠有一电流扩散层，该电流扩散层的中部蚀空，该电流扩散层在蚀空的中部上方设有p电极，该n电极和该p电极均包括依次层叠的欧姆接触层、阻挡层和压焊层。n电极和该p电极的欧姆接触层分别与对应的台阶下方的p-GaN层和台阶上方的电流扩散层具有好的欧姆接触；n电极和该p电极的阻挡层可以阻挡欧姆接触层与压焊层之间的相互扩散，防止欧姆接触电阻和反向电流增加；n电极和该p电极的压焊层需要具有一定的厚度和柔韧性，以利于金属引线的焊接于其上。目前，压焊层的材料为延展性高、抗氧化性好的金（Au）。

在实现本实用新型的过程中，设计人发现现有技术至少存在以下问题：

压焊层以昂贵的金为材料，致使本氮化镓基发光二极管的成本过高。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种改进的氮化镓基发光二极管，能克服现有氮化镓基发光二极管中压焊层以昂贵的金为材料导致的成本过高的问题。

为了实现上述目的，本实用新型实施例提供了一种氮化镓基发光二极管，包括包括衬底、依次层叠在所述衬底上的n-GaN层、量子阱层和p-GaN层，依次层叠的所述n-GaN层、所述量子阱层和所述p-GaN层共同蚀刻有一台阶，所述台阶的低端设有n电极，所述台阶的高端层叠有一电流扩散层，所述电流扩散层的中部设有蚀空，所述电流扩散层的蚀空上方设有p电极，所述n电极和所述p电极均包括依次层叠的欧姆接触层、阻挡层和压焊层，所述压焊层的材料为镁铝合金。

在本实用新型的一个实施例中，所述压焊层的厚度为10000～15000埃。

在本实用新型的另一实施例中，所述欧姆接触层的材料为铬，所述欧姆接触层的厚度为250～300埃。

在本实用新型的又一实施例中，所述阻挡层的材料为钛，所述阻挡层的厚度为300～400埃。

在本实用新型的再一实施例中，所述台阶的高度为13000～15000埃。

在本实用新型的又一实施例中，所述电流扩散层的材料为氧化铟锡，所述电流扩散层的厚度为1000～1500埃。

在本实用新型的再一实施例中，所述电流扩散层的蚀空内壁沿所述电流扩散层外壁的方向均匀开设有6个槽口。

本实用新型实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

镁铝合金具有良好的导电性和柔韧性，因此可以作为压焊层。

另外，镁铝合金作为压焊层组成材料的成本远远小于现有金（Au）作为压焊层组成材料的成本，因此氮化镓基发光二极管的制作成本较低。

此外，镁铝合金化学稳定性强，不易因氧化或发生化学反应而产生变质，因此镁铝合金作为压焊层组成材料有利于保持电极的稳定性，氮化镓基发光二极管的可靠性高。

此外，镁铝合金的机械强度高，因此镁铝合金作为压焊层组成材料使得氮化镓基发光二极管的n电极和p电极的附着力强、牢固性好，n电极和p电极在焊接时不易脱落。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例提供的一种氮化镓基发光二极管的截面示意图；

图2是图1所示氮化镓基发光二极管的n-GaN层、量子阱层和p-GaN层的组合截面示意图；

图3是图1所示氮化镓基发光二极管的n-GaN层、量子阱层、p-GaN层和电流扩散层的截面示意图；

图4是图1所示氮化镓基发光二极管的电流扩散层的剖面图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。