[实用新型]圆柱状钕铁硼磁体有效
申请号: | 201320449486.8 | 申请日: | 2013-07-24 |
公开(公告)号: | CN203480979U | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 鲍金胜 | 申请(专利权)人: | 浙江鑫盛永磁科技有限公司 |
主分类号: | H01F7/02 | 分类号: | H01F7/02;H01F41/02 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 313300 浙江省湖州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 圆柱状 钕铁硼 磁体 | ||
1.圆柱状钕铁硼磁体,包括磁体(1),其特征在于:所述的磁体(1)为圆柱体,磁体(1)上设有凹槽(2),磁体(1)外包裹保护层(11),保护层(11)为电泳层,电泳层为环氧树脂层,磁体(1)表面的粗糙度为1—50μm。
2.根据权利要求1所述的圆柱状钕铁硼磁体,其特征在于:所述的凹槽(2)为圆柱体。
3.根据权利要求1所述的圆柱状钕铁硼磁体,其特征在于:所述的凹槽(2)为长方体。
4.根据权利要求2或3所述的圆柱状钕铁硼磁体,其特征在于:所述的凹槽(2)为一个,设置在磁体(1)中部。
5.根据权利要求2或3所述的圆柱状钕铁硼磁体,其特征在于:所述的凹槽(2)为两个以上,凹槽(2)以磁体(1)上表面的几何中心为圆心,均匀分布。
6.根据权利要求1所述的圆柱状钕铁硼磁体,其特征在于:所述的保护层(11)为电镀层,电镀层为镀锌层。
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