[实用新型]一种减压干燥单元有效
| 申请号： | 201320490555.X | 申请日： | 2013-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN203367237U | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 金杨林;徐海涛;章全胜;江涛;沈书兵;曹金亮 | 申请（专利权）人： | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;G03F7/38 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 230011 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减压 干燥 单元 | ||
【权利要求书】：
1.一种减压干燥单元，包括减压腔室，所述减压腔室连接有氮气管路，所述减压腔室通过连接管路连接有真空传感器，其特征在于，还包括破折管路，所述破折管路的一端与所述连接管路相连通，所述破折管路的另一端与所述氮气管路相连通。
2.根据权利要求1所述的减压干燥单元，其特征在于，所述连接管路具有弯折，所述真空传感器设在所述弯折的末端，且所述破折管路在所述弯折处与所述连接管路相连通。
3.根据权利要求2所述的减压干燥单元，其特征在于，所述弯折为垂直弯折。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的减压干燥单元，其特征在于，所述氮气管路共有多根，其中一根所述氮气管路与所述破折管路相连通。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的减压干燥单元，其特征在于，所述破折管路与所述连接管路相连通的位置处密封，所述破折管路与所述氮气管路相连通的位置处密封。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的减压干燥单元，其特征在于，所述破折管路、所述连接管路和所述氮气管路所使用的材质相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
