[实用新型]一种减压干燥单元有效
申请号: | 201320490555.X | 申请日: | 2013-08-12 |
公开(公告)号: | CN203367237U | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 金杨林;徐海涛;章全胜;江涛;沈书兵;曹金亮 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;G03F7/38 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 230011 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 减压 干燥 单元 | ||
技术领域
本实用新型涉及干燥技术领域,尤其涉及一种减压干燥单元。
背景技术
TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,简称薄膜晶体管液晶显示器)的制作过程中需要经过光刻工序,其目的是使玻璃基板上的金属或非金属膜层在依次经过光刻胶涂布、掩膜曝光、显影和刻蚀工序之后在其相应的位置不受到损害,从而达到在玻璃基板上形成图案的目的。
减压干燥是光刻胶涂布后对光刻胶中的挥发性溶剂进行回收的一种方法。通过减压回收光刻胶中的挥发溶剂,使得光刻胶的流动性减弱,能够均匀的分布在基板上。光刻胶中的挥发溶剂是在真空状态下经减压干燥回收的。其中,真空传感器是减压干燥单元中用于监测减压腔室内真空状态的主要部件,在整个单元的控制中起着重要的作用。
目前,减压干燥单元中真空传感器的管路结构设计不够合理,如图1所示,当减压腔室2内的气压达到预定值后,会通过氮气管路3向减压腔室2内通入氮气以解真空,这样氮气会先进入减压腔室2,然后再进入真空传感器1中。由于真空传感器1所在管路相对减压腔室2而言处于负压状态,如图2所示,减压腔室2内的残留溶剂(图2中的液滴表示该残留溶剂)会和氮气一起经过采样口4进入真空传感器1的所在管路,使真空传感器2遭受挥发溶剂的腐蚀,这样不仅降低了真空传感器2的灵敏度,还导致其使用寿命变短。
实用新型内容
本实用新型实施例提供了一种减压干燥单元,以提高真空传感器的灵敏度及使用寿命。
为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:
一种减压干燥单元,包括减压腔室,所述减压腔室连接有氮气管路,所述减压腔室通过连接管路连接有真空传感器,其中,所述减压干燥单元还包括破折管路,所述破折管路的一端与所述连接管路相连通,所述破折管路的另一端与氮气管路相连通。
所述连接管路具有弯折,所述真空传感器设在所述弯折的末端,且所述破折管路在所述弯折处与所述连接管路相连通。
具体而言,所述弯折为垂直弯折。
所述氮气管路共有多根,其中一根所述氮气管路与所述破折管路相连通。
所述破折管路与所述连接管路相连通的位置处密封,所述破折管路与所述氮气管路相连通的位置处密封。
所述破折管路、所述连接管路和所述氮气管路所使用的材质相同。
本实用新型实施例提供了一种减压干燥单元,与现有的减压干燥单元相比不同的是,本实用新型实施例在真空传感器所在的连接管路一端追加一根破折管路,并使其与氮气管路相连。当减压腔室内的气压达到预定值后,会通过氮气管路向减压腔室以及真空传感器所在的连接管路中通入氮气以解真空。由于在真空传感器所在的连接管路处首先充满氮气,使其相对于减压腔室而言处于正压状态,这样连接管路内的氮气就会向减压腔室内流动,使减压腔室内残留的挥发性溶剂无法通过采样口到达真空传感器处,可以有效的保护真空传感器免遭腐蚀,从而提高真空传感器的灵敏度及其使用寿命,使设备工艺性能及时间更稳定。
附图说明
图1为现有技术中减压干燥单元的结构示意图;
图2为现有技术减压干燥单元中采样口在通入氮气后的局部示意图;
图3为本实用新型实施例提供的减压干燥单元的结构示意图;
图4为本实用新型实施例提供的减压干燥单元中采样口在通入氮气后的局部示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型实施例提供的减压干燥单元进行详细描述。
图3为本实用新型实施例提供的减压干燥单元的示意图。如图3所示,本实用新型公开了一种减压干燥单元,包括减压腔室2,所述减压腔室2连接有氮气管路3,所述减压腔室2通过连接管路5连接有真空传感器1,所述减压腔室2还包括破折管路6,所述破折管路6的一端与所述连接管路相连通,所述破折管路6的另一端与所述氮气管路相连通。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造