[实用新型]一种新型双面ITO导电膜结构有效
| 申请号： | 201320491832.9 | 申请日： | 2013-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN203552723U | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 李晨光 | 申请（专利权）人： | 南昌欧菲光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;G06F3/044 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330000 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 双面 ito 导电 膜结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型双面ITO导电膜结构，其特征在于：在柔性透明基材（1）的上下表面依次设置有粘接层（2），透明导电层（3），金属层（4），保护层（5）；
所述粘接层（2）为SiO2或SiO2 与SiO混合物，其厚度范围为30nm—100nm。
2.根据权利要求1所述的新型双面ITO导电膜结构，其特征在于：所述柔性透明基材（1）为双面加硬层光学级PET：聚对苯二甲酸乙二醇酯，其折射率范围为1.4---1.7。
3.根据权利要求1所述的新型双面ITO导电膜结构，其特征在于：所述透明导电层（3）为ITO膜层，其厚度范围为18nm—80nm。
4.根据权利要求1所述的新型双面ITO导电膜结构，其特征在于：所述金属层（4）为金属铜膜层，其厚度范围为200 nm—700nm，阻抗范围为0.01Ω/□--0.1Ω/□。
5.根据权利要求1所述的新型双面ITO导电膜结构，其特征在于：所述保护层（5）为金属铜镍钛合金膜层，其厚度范围为100 nm—5000nm。
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