[实用新型]一种新型双面ITO导电膜结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种新型双面ITO导电膜结构，属于触摸屏行业内一种新型双面ITO导电薄膜，可用于大中小尺寸型触摸屏制程领域。 

背景技术

常见电容式触摸屏结构有表面电容式触摸屏及投射电容式触摸屏，表面电容式触摸屏只采用单层ITO薄膜,从四个角感应由手指在表层静电区域带走的电荷，从而推算出触电位置。投射电容式触摸屏采用两层ITO薄膜，由每一层ITO层感应与手指间互电容带走电荷，相对于表面电容式，投射电容式能穿透较厚覆盖层。 

投射式电容屏制作工艺分别含有上线下线两个ITO Film，分别对不同ITO Film蚀刻出所需图形结构后，上下线贴合到一起由导电线路与触控IC电路连接后组成触控感测器。双层贴合方式直接降低光线透过率，增加触摸屏总体厚度，除此之外上下线贴合与良率相关，特别是全贴和方式，直接影响到成品良率并降低了产能。 

发明内容

为了克服上述缺陷，本实用新型目的在于提供一种新型双面ITO导电膜结构。本膜系相对于现有技术而言，提高了触摸屏产品总体透过率，降低了总体厚度，并较少了贴合次数，可使触摸屏生产产品良率上升。 

为了达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案： 

一种新型双面ITO导电膜结构，在柔性透明基材的上下表面依次设置有粘接层，透明导电层，金属层，保护层。

所述柔性透明基材为双面加硬层光学级PET：聚对苯二甲酸乙二醇酯，其折射率范围为1.4---1.7。 

所述粘接层为SiO₂或SiO₂ 与SiO混合物，其厚度范围为30nm—100nm。以保证反射率曲线及退火后方阻稳定性要求。 

所述透明导电层为ITO膜层，其厚度范围为18nm—80nm。根据不同要求上下表面可镀制不同方阻薄膜，范围：50Ω--300Ω。 

所述金属层为金属铜膜层，其厚度范围为200 nm—700nm，阻抗范围为0.01Ω/□--0.1Ω/□。蚀刻后用于形成导电线路。 

所述保护层为金属铜镍钛合金膜层，其厚度范围为100 nm—5000nm。用于保护铜膜层，防止铜膜层氧化。 

本实用新型与现有技术相比有如下技术优点： 

本实用新型与现有技术相比具有线宽明显降低，精细度提高，提高显示区域使用率，屏幕边框油墨区域变窄；代替了目前产线贴合方式，提高生产量率与产能。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。 

具体实施方式

 为了详细叙述本实用新型专利的上述特点，优势和工作原理，下面结合说明书附图1和具体实施方式对本实用新型做进一步的说明，但本实用新型所保护的范围并不局限于此。 

一种新型双面ITO导电膜结构，在柔性透明基材1的上下表面依次设置有粘接层2，透明导电层3，金属层4，保护层5。 

所述柔性透明基材1为双面加硬层光学级PET：聚对苯二甲酸乙二醇酯，其折射率范围为1.4---1.7。 

所述粘接层2为SiO₂或SiO₂ 与SiO混合物，其厚度范围为30nm—100nm。 

所述透明导电层3为ITO膜层，其厚度范围为18nm—80nm。 

所述金属层4为金属铜膜层，其厚度范围为200n—700nm，阻抗范围为0.01Ω/□--0.1Ω/□。 

所述保护层5为金属铜镍钛合金膜层，其厚度范围为100nm—5000nm。 

粘接层为SiO₂或SiO₂ 与SiO混合物，用于增加透明导电层与基材附着力，采用中频孪生靶位磁控溅射方式镀制，上下表面粘接层厚度范围：30nm—100nm，根据不同ITO膜层厚度调整不同粘接层厚度，以保证反射率曲线及退火后方阻稳定性要求； 

透明导电层为ITO膜层，采用直流磁控溅射方式镀制，上下表面透明导电层镀膜厚度范围均为18nm—80nm，根据不同要求上下表面可镀制不同方阻薄膜，范围：100Ω--300Ω，透过率高于88％；

单面镀制完成后，改变卷绕方向对另一面进行镀制，粘接层与透明导电层厚度按需要镀制；

双面粘接层与透明导电层镀制完成后，进入老化线将ITO膜层结晶，老化条件：150℃/30min;

金属铜膜层采用直流磁控溅射方式镀制，上下表面金属层厚度范围为200nm—700nm，方阻范围0.1Ω-0.5Ω，蚀刻后用于形成导电线路；