[实用新型]电源芯片模块的封装结构有效

专利信息
申请号: 201320493037.3 申请日: 2013-08-13
公开(公告)号: CN203398097U 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 王进昌;温兆均 申请(专利权)人: 力智电子股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/367;H02M1/00
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹县*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电源 芯片 模块 封装 结构
【说明书】:

技术领域

实用新型关于一种电源芯片模块的封装结构,特别是关于一种具有金属散热板的电源芯片模块的封装结构。

背景技术

在电源管理集成电路的领域中,常会使用到切换式电源电路,常见的切换式电源电路包含降压转换器(Buck Converter)与升压转换器(Boost Converter)。而在这些切换式电源电路中,常会使用金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET,又称为功率芯片)作为电力开关。

上述功率芯片可以各自单独封装在一个封装体中,也可以二个以上的功率芯片封装在一个封装体之中。甚至,有一些封装结构是将两个功率芯片与驱动器(Driver)封装在一起,例如整合式驱动器金属氧化物半导体场效晶体管(Driver MOS,DrMOS)。

然而,将上述多个半导体芯片封装在同一封装体中会面临两个主要问题,其一为散热问题,其二为封装体的面积可能会过大或者封装体的高度可能会过高。

举例来说,在传统电源芯片模块的封装结构中,每一芯片之间是利用打线(wire-bonded)形成电性连接。由于打线连接方式需要较大的空间,若二个或三个半导体芯片放置在同一基板的同一平面上,将使得封装体的面积与体积增大许多。此外,由于上述功率芯片会不断进行开关导通与开关关闭的切换,且其中一个功率芯片(例如:下桥开关芯片(low-side MOS))在导通时会有电流流过,造成封装结构的升温,甚至导致电源芯片模块的损坏。

实用新型内容

本实用新型是提供一种电源芯片模块的封装结构,用以解决传统电源芯片模块的封装结构的缺失,并且提升电源芯片模块的散热效率。

本实用新型的一方面在于提供一种电源芯片模块的封装结构。此封装结构包含多个功率芯片、金属板、及封装胶。诸功率芯片彼此电性连接,形成一开关电路,且诸功率芯片具有多个散热面。金属板具有第一表面及相对于第一表面的第二表面,其中金属板的第一表面覆盖于诸功率芯片的诸散热面上。封装胶包覆诸功率芯片,且至少部分包覆金属板。

根据本实用新型的一实施例,上述封装结构还包含至少一基板。基板相对于金属板,设置于诸功率芯片下,且电性连接于诸功率芯片。

根据本实用新型的一实施例,上述诸功率芯片包含一上桥开关芯片(high-side MOS)、一下桥开关芯片(low-side MOS)或其组合。

根据本实用新型的一实施例,还包含一控制芯片位于金属板的第一或第二表面上。

根据本实用新型的一实施例,上述封装胶完全包覆诸功率芯片、控制芯片以及金属板。

根据本实用新型的一实施例,上述封装胶完全包覆诸功率芯片及控制芯片,且暴露金属板的至少一部分第二表面。

根据本实用新型的一实施例,上述金属板的暴露的第二表面具有一第一部分及一第二部分。

根据本实用新型的一实施例,上述部分的封装胶设置于金属板的第二表面上,且位于第一部分及第二部分之间。

根据本实用新型的一实施例,上述控制芯片及覆盖于控制芯片上的封装胶设置于金属板的第二表面上,且位于第一部分及第二部分之间。

根据本实用新型的一实施例,上述第一部分实质上平行于第二部分。

附图说明

图1A是根据本实用新型的一实施例所绘示的电源芯片模块的封装结构100a;

图1B是根据本实用新型的一实施例所绘示的电源芯片模块的封装结构100b;

图1C是根据图1A的剖面线A-A’所绘示的封装结构100a的剖面图;

图1D是根据本实用新型的一实施例所绘示的电源芯片模块的封装结构100c的剖面图;

图2A是根据本实用新型的一实施例所绘示的电源芯片模块的封装结构200a的剖面图;

图2B是根据本实用新型的一实施例所绘示的电源芯片模块的封装结构200a的俯视图,其中包含引线及导线架;

图2C是根据本实用新型的一实施例所绘示的电源芯片模块的封装结构200b的剖面图;

图2D是根据本实用新型的一实施例所绘示的电源芯片模块的封装结构200b的俯视图;

图3A是根据本实用新型的一实施例所绘示的电源芯片模块的封装结构300a的剖面图;以及

图3B是根据本实用新型的一实施例所绘示的电源芯片模块的封装结构300b的剖面图。

具体实施方式

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