[实用新型]进气装置

权利要求书

1.一种用于MOCVD工艺的进气装置，其特征在于，所述进气装置包括：层叠设置的主体部分和热壁层，所述主体部分包括第一气体腔室，所述主体部分和热壁层之间的区域构成第二气体腔室，所述第二气体腔室位于所述第一气体腔室下方；所述第一气体腔室具有第一气体管路、所述第二气体腔室具有第二气体管路，所述第一气体管路贯穿所述第二气体腔室和所述热壁层，所述第二气体管路贯穿所述热壁层；所述第一气体管路和第二气体管路的出气口之间引入有隔离气体。 

2.如权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述热壁层背离所述主体部分一侧的表面呈锯齿状。 

3.如权利要求2所述的进气装置，其特征在于，所述第二气体管路设置于相邻的锯齿之间，所述相邻锯齿的相邻侧壁构成喇叭状的出气口，所述出气口与第二气体管路相连通，所述出气口作为第二气体管路的出气口，来自第二气体管路的气体沿所述出气口逐渐扩散。 

4.如权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述第一气体管路和第二气体管路的出气口位于不同的平面。 

5.如权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述进气装置还包括：隔离气体腔室，设置在所述第一气体腔室与第二气体腔室之间； 

所述隔离气体腔室具有隔离气体管路，所述隔离气体管路贯穿所述第二气体腔室和热壁层，所述隔离气体管路用于提供隔离气体。 

6.如权利要求5所述的进气装置，其特征在于，所述第二气体管路嵌套于 所述隔离气体管路内，所述隔离气体管路嵌套于所述第一气体管路内。 

7.如权利要求6所述的进气装置，其特征在于，所述第一气体腔室中通入有第一反应气体，所述第二气体腔室中通入有第二反应气体，所述第一反应气体为MO源气，所述第二反应气体为氨气，所述隔离气体包围所述MO源气。 

8.如权利要求5所述的进气装置，其特征在于，所述进气装置还包括冷却腔室，所述冷却腔室设置于所述隔离气体腔室和第二气体腔室之间。 

9.如权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述隔离气体为氢气、氮气或者氦气中的一种或其中的组合。 

10.如权利要求7所述的进气装置，其特征在于，所述隔离气体包围所述第一反应气体或第二反应气体。