[实用新型]进气装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体设备技术领域，特别是一种进气装置。

背景技术

化学气相沉积例如有机金属化学气相沉积（MOCVD）工艺的基本生长过程是，将反应气体从气源通过进气装置引入反应腔室，利用以加热器加热的衬底引发化学反应，从而在基片上生成单晶或多晶薄膜。

现有技术的进气装置请参考图1，包括多层气体腔室1，例如包括三个，或者其他数量，还包括冷却腔室2，每个气体腔室皆设置有气体通道3，用于将反应气体从气体腔室1中运输到下方的反应区域（未图示），具体的，每个气体腔室1皆位于所述冷却腔室2上方，且气体通道3也贯穿所述冷却腔室2，所述冷却腔室2用于对整个进气装置以及气体腔室1进行冷却，使得进气装置的朝向托盘和衬底（未图示）一侧的表面（即下表面）的温度维持在较低的水平，以尽可能地减少反应气体的预分解。

然而在进行MOCVD工艺过程中，托盘和衬底的温度较高，而进气装置的温度较低，这容易造成托盘与进气装置之间的反应区域的气体场的分布不均匀（高温的反应气体向进气装置扩散，低温的反应气体向托盘扩散），容易在进气装置表面发生预反应，由于进气装置的表面温度低，在进气装置表面形成的颗粒疏松，如果进气装置表面的颗粒脱落，可能造成衬底表面形成的外延材料层的颗粒污染，影响良率。并且现有技术由于进气装置的温度较低，其表面的颗粒沾污问题尤为严重。

因此，目前的进气装置并不合理，需要对其进行改善。

实用新型内容

本实用新型的一个目的在于提供一种进气装置，以解决现有技术中进气装置上的气体通道密集且容易产生污染的问题。

本实用新型的另一个目的在于改善现有工艺中对反应气体利用率低的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种进气装置，用于MOCVD工艺，所述进气装置包括：主体部分和热壁层，所述主体部分包括第一气体腔室，所述主体部分和热壁层构成第二气体腔室，所述第二气体腔室位于所述第一气体腔室下方；所述第一气体腔室具有第一气体管路、所述第二气体腔室第二气体管路，所述第一气体管路贯穿所述第二气体腔室和所述热壁层，所述第二气体管路贯穿所述热壁层；所述第一气体管路和第二气体管路的出气口之间引入有隔离气体。

本实用新型提供的进气装置，包括一热壁层，相比现有技术中的结构，能够吸收由进气装置下方的托盘产生的热量，从而有效的提高进气装置与托盘相对的表面的温度，那么发生在进气装置下表面的预反应生成的颗粒会由于进气装置下表面的温度升高而使得附着的颗粒变得致密，不容易脱落到托盘上而形成颗粒沾污。此外，本实用新型中第一气体管路和第二气体管路的出气口之间引入有隔离气体，能够降低第一气体管路和第二气体管路中的反应气体在热壁层处的混合，以减少或避免在热壁层处发生预反应，既能够减少颗粒污染的产生，又能够提高反应气体的利用率。

附图说明

图1为现有技术的进气装置的结构示意图；

图2为本实用新型实施例的进气装置的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型的进气装置进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本实用新型。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。