[实用新型]多晶硅还原炉可调多路进气结构

说明书

技术领域：

本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，特别是一种控制还原炉炉内气体温度和流量的 

可调多路进气结构。 

背景技术：

目前,国内大部分的多晶硅生产厂商使用的是西门子改良法工艺技术,其中核心设备是已比较成熟的CVD还原炉。还原炉的工作原理是通过通电高温硅芯将三氯氢硅与氢气的混和气体反应生成多晶硅并沉积在硅芯上。由于整个气相沉积反应需要一个相对稳定的温度场和相对充足的反应物料，因此保持炉内温度场的稳定和控制炉内气体的合理供料是很关键的。所以为了解决上述问题，需要一种新型多晶硅还原炉可调多路进气结构。 

实用新型内容：

本实用新型提供一种多晶硅还原炉可调多路进气结构，用于保持炉内稳定的温度场和控制炉内气体的合理供料。 

为了解决上述问题，本实用新型采用的技术方案是：多晶硅还原炉可调多路进气结构包括进气环管（2），进气总管（3），所述进气总管（3）与进气环管（2）连接，所述进气环管（2）与进气支管（1）连接，所述进气总管（3）上设置流量调节阀（4）。所述进气结构包含有2个或2个以上的进气环管(2)；所述进气环管（2）呈圈状分布在底盘下方，所述进气环管（2）之间互不连通。进气环管上分别分布有数个进气支管，进气支管与进气环管焊接连接，进气支管与还原炉进气口连接。每个进气环管分别与进气总管连接，进气环管对称均匀分布，进气总管上设置有流量调节阀和测温仪。 

原料气分别从进气总管进入到进气环管，再通过进气支管进入到炉体内部。由于炉体中心的硅棒受到四周硅棒的热辐射，温度较高，而炉体外围硅棒受到钟罩的冷却，温度相对较低，所以反应过程中各圈位置的温度不同，另外炉内硅棒数量分布内密外疏，反应中不同位置所需要的气体量不同。为了保持炉内温度场的稳定和控制炉内气体的合理供料，可以通过对各路进气环管单独控制，设置不同的进气温度和进气量来解决。进气总管中设置的测温仪可测量进气温度，并反馈到系统控制中心，控制中心根据监测到的值按照工艺条件精确调节各进气总管中的进气温度，保持炉内温度场的稳定；进气总管中设置的流量调节阀可测量进气量，并通过远程控制,设置流量调节阀开度以调整流量，实现对炉内气体量的控制,保持合理供料。 

该新型结构的使用，大大保证了炉内温度场和气场的均匀性，气相沉积的稳定性，同时 满足可直接在现有还原炉上进行改造的要求，符合大部分还原炉厂家的期望。 

附图说明:

附图1是本实用新型的多晶硅还原炉可调多路进气结构示意图。 

附图2是本实用新型的多晶硅还原炉进气环管结构示意图。 

图中1是进气支管，2是进气环管，3是进气总管，4是流量调节阀，5是测温仪。 

具体实施方式：

下面结合附图对本实用新型的具体工作原理作进一步描述。 

如图所示，本实用新型主要由进气支管1，进气环管2，进气总管3，流量调节阀4，测温仪5组成。进气环管2呈圈状分布，进气环管2的数量为2个或2个以上，且互不连通。进气环管2上分别分布有数个进气支管1，进气支管1与进气环管2焊接连接，进气支管1与还原炉进气口连接。每个进气环管2分别与进气总管3连接，进气总管3上设置有流量调节阀4和测温仪5。 

原料气分别从进气总管3进入到进气环管2，再通过进气支管1进入到炉体内部。进气总管3中设置的测温仪5可测量进气温度，反馈到系统控制中心，控制中心可根据监测到的值按照工艺条件精确调节各进气总管3中的进气温度，保持炉内温度场的稳定。进气总管3中设置的流量调节阀4可测量进气量，并通过远程控制,设置流量调节阀4的开度以调整流量，实现对炉内气体量的控制,保持合理供料。