[实用新型]一种基于LED晶片结构的灯板有效

专利信息
申请号: 201320513367.4 申请日: 2013-08-21
公开(公告)号: CN203456511U 公开(公告)日: 2014-02-26
发明(设计)人: 吴少红 申请(专利权)人: 深圳市凯信光电有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/38;H01L33/64
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 余敏
地址: 518000 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 led 晶片 结构
【权利要求书】:

1.一种基于LED晶片结构的灯板,其特征在于:包括LED晶片结构,锡膏和PCB板; 

所述LED晶片结构包括衬底、LED半导体层、透明导电层、第一透明绝缘层、正电极和负电极;所述LED半导体层包括依次设置的n型半导体层、发光层、p型半导体层; 

所述衬底上依次设置有所述LED半导体层和透明导电层; 

所述正电极延伸设置在所述衬底和所述LED半导体层的一侧;所述正电极与所述LED半导体层中的P型半导体层的端部、所述透明导电层的端部直接接触连接,所述第一透明绝缘层设置在所述正电极和所述LED半导体层的n型半导体层、发光层之间;或者,所述正电极与所述透明导电层的端部直接接触连接,所述第一透明绝缘层设置在所述正电极和所述LED半导体层的n型半导体层、发光层、p型半导体层之间; 

所述负电极延伸设置在所述衬底和所述LED半导体层的另一侧,所述负电极与所述LED半导体层中的n型半导体层的端部直接接触连接; 

所述LED晶片结构的正电极和负电极通过锡膏连接在所述PCB板上的线路层上。 

2.根据权利要求1所述的基于LED晶片结构的灯板,其特征在于:所述n型半导体长于所述p型半导体,使所述LED半导体层形成台阶;所述负电极与所述台阶的侧部直接接触连接。 

3.根据权利要求1所述的基于LED晶片结构的灯板,其特征在于:所述n型半导体长于所述p型半导体,使所述LED半导体层形成台阶;所述负电极与所述台阶的侧部和台面均直接接触连接;所述LED晶片结构还包括第二透明绝缘层,所述第二透明绝缘层设置在所述p型半导体、发光层和所述台面上的负电极之间。 

4.根据权利要求1所述的基于LED晶片结构的灯板,其特征在于:所述正电极和负电极均延伸至所述衬底的底部。 

5.根据权利要求1所述的基于LED晶片结构的灯板,其特征在于:所述LED晶片结构还包括透明绝缘保护层,所述透明绝缘保护层设置在所述透明导电层上。 

6.根据权利要求1所述的基于LED晶片结构的灯板,其特征在于:所述衬底为蓝 宝石衬底。 

7.根据权利要求6所述的基于LED晶片结构的灯板,其特征在于:所述衬底为图案化蓝宝石衬底。 

8.根据权利要求1所述的基于LED晶片结构的灯板,其特征在于:所述LED半导体层为氮化镓半导体层。 

9.根据权利要求1所述的基于LED晶片结构的灯板,其特征在于:所述第一透明绝缘层为SiO2绝缘层。 

10.一种基于LED晶片结构的灯板,其特征在于:包括LED晶片结构,锡膏和PCB板; 

所述LED晶片结构包括衬底、LED半导体层、第一透明绝缘层、正电极和负电极;所述LED半导体层包括依次设置的n型半导体层、发光层、p型半导体层; 

所述衬底上设置有所述LED半导体层; 

所述正电极延伸设置在所述衬底和所述LED半导体层的一侧,所述正电极与所述p型半导体层的端部直接接触连接,所述第一透明绝缘层设置在所述正电极和所述LED半导体层的n型半导体层、发光层之间; 

所述负电极延伸设置在所述衬底和所述LED半导体层的另一侧,所述负电极与所述LED半导体层中的n型半导体层的端部直接接触连接; 

所述LED晶片结构的正电极和负电极通过所述锡膏连接在所述PCB板上的线路层上。 

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