[实用新型]一种基于LED晶片结构的灯板有效
申请号: | 201320513367.4 | 申请日: | 2013-08-21 |
公开(公告)号: | CN203456511U | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 吴少红 | 申请(专利权)人: | 深圳市凯信光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/38;H01L33/64 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 余敏 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 led 晶片 结构 | ||
1.一种基于LED晶片结构的灯板,其特征在于:包括LED晶片结构,锡膏和PCB板;
所述LED晶片结构包括衬底、LED半导体层、透明导电层、第一透明绝缘层、正电极和负电极;所述LED半导体层包括依次设置的n型半导体层、发光层、p型半导体层;
所述衬底上依次设置有所述LED半导体层和透明导电层;
所述正电极延伸设置在所述衬底和所述LED半导体层的一侧;所述正电极与所述LED半导体层中的P型半导体层的端部、所述透明导电层的端部直接接触连接,所述第一透明绝缘层设置在所述正电极和所述LED半导体层的n型半导体层、发光层之间;或者,所述正电极与所述透明导电层的端部直接接触连接,所述第一透明绝缘层设置在所述正电极和所述LED半导体层的n型半导体层、发光层、p型半导体层之间;
所述负电极延伸设置在所述衬底和所述LED半导体层的另一侧,所述负电极与所述LED半导体层中的n型半导体层的端部直接接触连接;
所述LED晶片结构的正电极和负电极通过锡膏连接在所述PCB板上的线路层上。
2.根据权利要求1所述的基于LED晶片结构的灯板,其特征在于:所述n型半导体长于所述p型半导体,使所述LED半导体层形成台阶;所述负电极与所述台阶的侧部直接接触连接。
3.根据权利要求1所述的基于LED晶片结构的灯板,其特征在于:所述n型半导体长于所述p型半导体,使所述LED半导体层形成台阶;所述负电极与所述台阶的侧部和台面均直接接触连接;所述LED晶片结构还包括第二透明绝缘层,所述第二透明绝缘层设置在所述p型半导体、发光层和所述台面上的负电极之间。
4.根据权利要求1所述的基于LED晶片结构的灯板,其特征在于:所述正电极和负电极均延伸至所述衬底的底部。
5.根据权利要求1所述的基于LED晶片结构的灯板,其特征在于:所述LED晶片结构还包括透明绝缘保护层,所述透明绝缘保护层设置在所述透明导电层上。
6.根据权利要求1所述的基于LED晶片结构的灯板,其特征在于:所述衬底为蓝 宝石衬底。
7.根据权利要求6所述的基于LED晶片结构的灯板,其特征在于:所述衬底为图案化蓝宝石衬底。
8.根据权利要求1所述的基于LED晶片结构的灯板,其特征在于:所述LED半导体层为氮化镓半导体层。
9.根据权利要求1所述的基于LED晶片结构的灯板,其特征在于:所述第一透明绝缘层为SiO2绝缘层。
10.一种基于LED晶片结构的灯板,其特征在于:包括LED晶片结构,锡膏和PCB板;
所述LED晶片结构包括衬底、LED半导体层、第一透明绝缘层、正电极和负电极;所述LED半导体层包括依次设置的n型半导体层、发光层、p型半导体层;
所述衬底上设置有所述LED半导体层;
所述正电极延伸设置在所述衬底和所述LED半导体层的一侧,所述正电极与所述p型半导体层的端部直接接触连接,所述第一透明绝缘层设置在所述正电极和所述LED半导体层的n型半导体层、发光层之间;
所述负电极延伸设置在所述衬底和所述LED半导体层的另一侧,所述负电极与所述LED半导体层中的n型半导体层的端部直接接触连接;
所述LED晶片结构的正电极和负电极通过所述锡膏连接在所述PCB板上的线路层上。
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