[实用新型]一种基于LED晶片结构的灯板有效

专利信息
申请号: 201320513367.4 申请日: 2013-08-21
公开(公告)号: CN203456511U 公开(公告)日: 2014-02-26
发明(设计)人: 吴少红 申请(专利权)人: 深圳市凯信光电有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/38;H01L33/64
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 余敏
地址: 518000 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 基于 led 晶片 结构
【说明书】:

【技术领域】

实用新型涉及灯板,特别是涉及一种基于LED晶片结构的灯板。

【背景技术】

现有的灯板一般包括LED晶片结构和PCB板。其中,LED晶片结构的结构示意图通常如图1所示,包括依次设置的衬底1、LED半导体层(包括n型半导体层2、发光层11和p型半导体层3)、透明导电层8。正电极12设置在透明导电层8的上面,LED半导体层为台阶状,负电极13设置在台阶的台面上。正电极12通过透明导电层8与p型半导体层3形成电连接,负电极13与n型半导体层2形成电连接。

将上述LED晶片结构焊接到PCB板上制成灯板时,有三种方式:

第一种方式是,先经过封装工艺形成成品SMD LED器件,即灯珠。PCB板上预先使用钢网将锡膏丝印在PCB板焊盘上。焊接时,用贴片机将封装好的SMD LED灯珠器件,贴在焊盘上。最后过回流焊固化得到最终的灯板。这种方式下制备得到灯板,中间需要先经过封装环节,工序较多,使得灯板的成本、交货期并不理想。

第二种方式是,共晶焊接,即采用倒装式直接焊接贴在PCB板焊盘上。LED晶片结构倒装,直接将电极与PCB板上的线路层用合金材料熔合。这种方式下,存在如下缺点:1、此时晶片顶部仍然通过衬底散热。但晶片底部只有设置有电极的部分与线路层接触。而由于透明导电层8上为出光面,为免影响出光效率,一般正电极12的面积设置得较小。这样,接触面积很小,LED晶片工作时底部散热面积、导电面积也较小,使得此时制成的灯板的散热和导电性能不好。2、倒装封装制成灯板时,对PCB板的要求较高。具体地,如果PCB板上预留孔隙(孔隙用于填充阻焊剂)两端的线路层高度不一致,则安装在其上的LED晶片结构会沿高度差有所倾斜,从而导致孔隙一侧较高处的电极与锡膏接触不均匀,焊接不牢靠。因此,倒装焊接时通常要求PCB板孔隙两端的线路层的高度差不能大于2~3μm,即对PCB板的要求较苛刻,无形中增加了灯板的成本。

第三种方式是:金线焊接,即采用导线(例如金线、银线、铜线、合金线)将LED晶片结构的正负电极与PCB板上的线路层连接,这就涉及到在LED晶片的正电极、负电极上打金线,一方面,打金线通常需要使用到邦定机,而邦定机价格昂贵(在三、四十万左右),金线等导线也存在耗材成本,使得此种方式下制得的灯板的成本较高;另一方面,邦定机打金线时,需要设置各方面的参数,设置不好将导致操作失败,使得制备灯板时工序也复杂。

【实用新型内容】

本实用新型所要解决的技术问题是:弥补上述现有技术的不足,提出一种基于LED晶片结构的灯板,散热和导电性能较好,且制备时时成本较低,工序简便。

本实用新型的技术问题通过以下的技术方案予以解决:

一种基于LED晶片结构的灯板,包括LED晶片结构,锡膏和PCB板;所述LED晶片结构包括衬底、LED半导体层、透明导电层、第一透明绝缘层、正电极和负电极;所述LED半导体层包括依次设置的n型半导体层、发光层、p型半导体层;所述衬底上依次设置有所述LED半导体层和透明导电层;所述正电极延伸设置在所述衬底和所述LED半导体层的一侧;所述正电极与所述LED半导体层中的P型半导体层的端部、所述透明导电层的端部直接接触连接,所述第一透明绝缘层设置在所述正电极和所述LED半导体层的n型半导体层、发光层之间;或者,所述正电极与所述透明导电层的端部直接接触连接,所述第一透明绝缘层设置在所述正电极和所述LED半导体层的n型半导体层、发光层、p型半导体层之间;所述负电极延伸设置在所述衬底和所述LED半导体层的另一侧,所述负电极与所述LED半导体层中的n型半导体层的端部直接接触连接;所述LED晶片结构的正电极和负电极通过锡膏连接在所述PCB板上的线路层上。

一种基于LED晶片结构的灯板,包括LED晶片结构,锡膏和PCB板;所述LED晶片结构包括衬底、LED半导体层、第一透明绝缘层、正电极和负电极;所述LED半导体层包括依次设置的n型半导体层、发光层、p型半导体层;所述衬底上设置有所述LED半导体层;所述正电极延伸设置在所述衬底和所述LED半导体层的一侧,所述正电极与所述p型半导体层的端部直接接触连接,所述第一透明绝缘层设置在所述正电极和所述LED半导体层的n型半导体层、发光层之间;所述负电极延伸设置在所述衬底和所述LED半导体层的另一侧,所述负电极与所述LED半导体层中的n型半导体层的端部直接接触连接;所述LED晶片结构的正电极和负电极通过所述锡膏连接在所述PCB板上的线路层上。

本实用新型与现有技术对比的有益效果是:

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市凯信光电有限公司,未经深圳市凯信光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320513367.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top