[实用新型]一种基于LED晶片结构的灯板有效
申请号: | 201320513367.4 | 申请日: | 2013-08-21 |
公开(公告)号: | CN203456511U | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 吴少红 | 申请(专利权)人: | 深圳市凯信光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/38;H01L33/64 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 余敏 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 led 晶片 结构 | ||
【技术领域】
本实用新型涉及灯板,特别是涉及一种基于LED晶片结构的灯板。
【背景技术】
现有的灯板一般包括LED晶片结构和PCB板。其中,LED晶片结构的结构示意图通常如图1所示,包括依次设置的衬底1、LED半导体层(包括n型半导体层2、发光层11和p型半导体层3)、透明导电层8。正电极12设置在透明导电层8的上面,LED半导体层为台阶状,负电极13设置在台阶的台面上。正电极12通过透明导电层8与p型半导体层3形成电连接,负电极13与n型半导体层2形成电连接。
将上述LED晶片结构焊接到PCB板上制成灯板时,有三种方式:
第一种方式是,先经过封装工艺形成成品SMD LED器件,即灯珠。PCB板上预先使用钢网将锡膏丝印在PCB板焊盘上。焊接时,用贴片机将封装好的SMD LED灯珠器件,贴在焊盘上。最后过回流焊固化得到最终的灯板。这种方式下制备得到灯板,中间需要先经过封装环节,工序较多,使得灯板的成本、交货期并不理想。
第二种方式是,共晶焊接,即采用倒装式直接焊接贴在PCB板焊盘上。LED晶片结构倒装,直接将电极与PCB板上的线路层用合金材料熔合。这种方式下,存在如下缺点:1、此时晶片顶部仍然通过衬底散热。但晶片底部只有设置有电极的部分与线路层接触。而由于透明导电层8上为出光面,为免影响出光效率,一般正电极12的面积设置得较小。这样,接触面积很小,LED晶片工作时底部散热面积、导电面积也较小,使得此时制成的灯板的散热和导电性能不好。2、倒装封装制成灯板时,对PCB板的要求较高。具体地,如果PCB板上预留孔隙(孔隙用于填充阻焊剂)两端的线路层高度不一致,则安装在其上的LED晶片结构会沿高度差有所倾斜,从而导致孔隙一侧较高处的电极与锡膏接触不均匀,焊接不牢靠。因此,倒装焊接时通常要求PCB板孔隙两端的线路层的高度差不能大于2~3μm,即对PCB板的要求较苛刻,无形中增加了灯板的成本。
第三种方式是:金线焊接,即采用导线(例如金线、银线、铜线、合金线)将LED晶片结构的正负电极与PCB板上的线路层连接,这就涉及到在LED晶片的正电极、负电极上打金线,一方面,打金线通常需要使用到邦定机,而邦定机价格昂贵(在三、四十万左右),金线等导线也存在耗材成本,使得此种方式下制得的灯板的成本较高;另一方面,邦定机打金线时,需要设置各方面的参数,设置不好将导致操作失败,使得制备灯板时工序也复杂。
【实用新型内容】
本实用新型所要解决的技术问题是:弥补上述现有技术的不足,提出一种基于LED晶片结构的灯板,散热和导电性能较好,且制备时时成本较低,工序简便。
本实用新型的技术问题通过以下的技术方案予以解决:
一种基于LED晶片结构的灯板,包括LED晶片结构,锡膏和PCB板;所述LED晶片结构包括衬底、LED半导体层、透明导电层、第一透明绝缘层、正电极和负电极;所述LED半导体层包括依次设置的n型半导体层、发光层、p型半导体层;所述衬底上依次设置有所述LED半导体层和透明导电层;所述正电极延伸设置在所述衬底和所述LED半导体层的一侧;所述正电极与所述LED半导体层中的P型半导体层的端部、所述透明导电层的端部直接接触连接,所述第一透明绝缘层设置在所述正电极和所述LED半导体层的n型半导体层、发光层之间;或者,所述正电极与所述透明导电层的端部直接接触连接,所述第一透明绝缘层设置在所述正电极和所述LED半导体层的n型半导体层、发光层、p型半导体层之间;所述负电极延伸设置在所述衬底和所述LED半导体层的另一侧,所述负电极与所述LED半导体层中的n型半导体层的端部直接接触连接;所述LED晶片结构的正电极和负电极通过锡膏连接在所述PCB板上的线路层上。
一种基于LED晶片结构的灯板,包括LED晶片结构,锡膏和PCB板;所述LED晶片结构包括衬底、LED半导体层、第一透明绝缘层、正电极和负电极;所述LED半导体层包括依次设置的n型半导体层、发光层、p型半导体层;所述衬底上设置有所述LED半导体层;所述正电极延伸设置在所述衬底和所述LED半导体层的一侧,所述正电极与所述p型半导体层的端部直接接触连接,所述第一透明绝缘层设置在所述正电极和所述LED半导体层的n型半导体层、发光层之间;所述负电极延伸设置在所述衬底和所述LED半导体层的另一侧,所述负电极与所述LED半导体层中的n型半导体层的端部直接接触连接;所述LED晶片结构的正电极和负电极通过所述锡膏连接在所述PCB板上的线路层上。
本实用新型与现有技术对比的有益效果是:
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