[实用新型]半导体器件和互补金属氧化物半导体半导体器件有效
| 申请号： | 201320516861.6 | 申请日： | 2013-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN203721725U | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 柳青;P·卡雷;N·劳贝特 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 互补 金属 氧化物 半导体 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底，具有在所述半导体衬底中的沟道区域；
在所述沟道区域以上的栅极结构；
在所述栅极结构的相对侧上的源极区域和漏极区域；
在所述源极区域和所述漏极区域中的每个区域上的相应接触；
所述源极区域和所述漏极区域中的至少一个区域具有相对于所述相应接触的倾斜的上接触表面。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述倾斜的上接触表面背离所述栅极结构向下倾斜。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述倾斜的上接触表面以30-45度的范围内的角度倾斜。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源极区域和所述漏极区域包括相应凸起的源极区域和漏极区域。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述倾斜的上接触表面具有比对应平坦接触表面将有的面积大至少50％的面积。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极结构包括栅极堆叠和在所述栅极堆叠的相对侧上的至少一个侧壁间隔物。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极堆叠包括与所述沟道区域相邻的电介质层和在所述电介质层上的传导层。
8.一种互补金属氧化物半导体半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底，具有在所述半导体衬底中的p沟道区域和n沟道区域；
在所述p沟道区域和所述n沟道区域以上的相应栅极结构；
在每个栅极结构的相对侧上的相应源极区域和漏极区域；以及
在所述源极区域和所述漏极区域中的每个区域上的相应接触；
所述源极区域和所述漏极区域中的至少一个区域具有相对于所述相应接触的倾斜的上接触表面，而所述倾斜的上接触表面以以30-45度的范围内的角度背离所述栅极结构向下倾斜。
9.根据权利要求8所述的互补金属氧化物半导体半导体器件，其特征在于，所述相应源极区域和漏极区域包括相应凸起的源极区域和漏极区域。
10.根据权利要求8所述的互补金属氧化物半导体半导体器件，其特征在于，所述倾斜的上接触表面具有比对应平坦接触表面将有的面积大至少50％的面积。
11.根据权利要求8所述的互补金属氧化物半导体半导体器件，其特征在于，每个栅极结构包括栅极堆叠和在所述栅极堆叠的相对侧上的至少一个侧壁间隔物。
12.根据权利要求11所述的互补金属氧化物半导体半导体器件，其特征在于，每个栅极堆叠包括与所述沟道区域相邻的电介质层和在所述电介质层上的传导层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
