[实用新型]晶圆清洗装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体工艺领域，特别是涉及一种晶圆清洗装置。

背景技术

在半导体工艺流程中，化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）是非常重要的一道工序。随着CMP在多种应用中使用，如层间介质（ILD）、钨塞制造和双大马士革结构制作，伴随着会产生的大量的玷污物，这些玷污物包括磨料颗粒、被抛光材料带来的任何颗粒以及从磨料中带来化学玷污物，这些颗粒是由于CMP过程中所加的压力而机械性地嵌入晶圆表面，CMP后清洗的重点是去除所有的玷污物，这使得后段工艺的清洗工艺变得更加严格。

现有的晶圆清洗装置在清洗时，需要利用机械臂夹持进行过CMP的晶圆，一条机械臂上设有若干个夹具，每一个夹具夹持一片晶圆并将每一片晶圆送进清洗槽，在清洗的过程中，自始至终需要机械臂夹持着晶圆，由于所有晶圆需要机械臂夹持着清洗，所以容易发生抓取不稳定，出现掉片破片的几率很大，300mm的晶圆相对于200mm的晶圆的尺寸更大，则发生掉片破片的风险也更大。

另外，现有技术的清洗容器并不是完全封闭的，晶圆在清洗时暴露在空气里，在这种环境中清洗，晶圆表面会被污染，附着许多尘埃颗粒，后续进行其他工艺后便会在晶圆上产生缺陷，影响芯片的性能，降低良率。

因此，提供一种改进的晶圆清洗装置是本领域技术人员需要解决的课题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种晶圆清洗装置，用于解决现有技术中清洗时晶圆抓取不稳定、晶圆表面被污染等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种晶圆清洗装置，所述晶圆清洗装置至少包括：

清洗容器，具有一晶圆输入口和晶圆输出口；

用于传送晶圆的传送装置，设置于所述清洗容器中；

用于承载晶圆的至少一个托盘，设置于所述传送装置上；

用于清洗晶圆的至少一个清洗槽，设置于所述清洗容器中，所述每一个清洗槽均具有一入口门和一出口门，晶圆在所述传送装置的传送下到达每一个清洗槽并进行清洗。

作为本实用新型的晶圆清洗装置的一种优化结构，所述清洗容器分为第一区域和第二区域，所述晶圆输入口设于所述第一区域的顶部，所述清洗槽设于所述第二区域内。

作为本实用新型的晶圆清洗装置的一种优化结构，所述传送装置为传送皮带，所述传送皮带围成四个顶角具有弧度的矩形，且所述传送皮带一部分处于第一区域、另一部分处于第二区域。

作为本实用新型的晶圆清洗装置的一种优化结构，所述托盘包括保护槽和设于所述保护槽上的至少三个滚轮；所述保护槽呈圆弧形；晶圆放置于所述滚轮上随滚轮转动。

作为本实用新型的晶圆清洗装置的一种优化结构，所述保护槽底部设有至少一个漏液孔。

作为本实用新型的晶圆清洗装置的一种优化结构，在所述清洗容器的晶圆输出口设有一晶圆接收装置。

作为本实用新型的晶圆清洗装置的一种优化结构，所述晶圆接收装置至少包括：夹具和与夹具相连的旋转轴，所述夹具闭合时的形状与晶圆输出口的形状相同。

作为本实用新型的晶圆清洗装置的一种优化结构，所述清洗装置还包括夹持抛光机台上的晶圆并将晶圆放置在所述托盘上的机械臂，所述机械臂上仅设有一个夹持件。

作为本实用新型的晶圆清洗装置的一种优化结构，所述清洗槽内安装有供应清洗液的喷嘴。

作为本实用新型的晶圆清洗装置的一种优化结构，所述清洗槽包括用于清洗晶圆的内槽和用于盛放清洗液的外槽。

如上所述，本实用新型的晶圆清洗装置，具有以下有益效果：一方面，在清洗容器的内部设置具有入口门和出口门的清洗槽，使晶圆清洗的环境更加封闭，降低晶圆表面受空气污染的程度，提高晶圆良率；另一方面，使用传送装置来传送晶圆到达清洗槽，不需要机械臂在清洗过程中一直夹持着晶圆，降低机械臂夹持晶圆不稳定导致晶圆破片掉片的几率；再有，通过在清洗容器的输出口处设置一晶圆接收装置，该晶圆接收装置既作为晶圆输出时的承载装置，还起着机械臂的作用，通过装置旋转轴将晶圆运送至晶圆收纳盒中保存。

附图说明

图1为本实用新型的晶圆清洗装置的俯视图。

图2为本实用新型的晶圆清洗装置的立体示意图。

图3为本实用新型的托盘结构示意图。

元件标号说明

1                          清洗容器

11                         第一区域