[实用新型]一种自动装卸PECVD工件架内芯片的装置有效
申请号: | 201320525365.7 | 申请日: | 2013-08-27 |
公开(公告)号: | CN203429249U | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 刘林 | 申请(专利权)人: | 山东禹城汉能光伏有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 李桂存 |
地址: | 251200 山东省德州*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 自动 装卸 pecvd 工件 芯片 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种自动装卸PECVD工件架内芯片的装置,用于太阳能薄膜电池生产工序中PECVD前后阶段装卸芯片。
背景技术
在太阳能电池中,薄膜电池具有更强的弱光效应,廉价的制备材料,更佳的视觉效果及易于大规模连续化生产等优点,在光伏建筑一体化(BIPV)中具有广阔的发展前景。对于Si基薄膜电池来说,SI基薄膜的制备就更加重要,很多企业都是通过PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) -- 等离子体增强化学气相沉积法,并且为了提高生产效率,大部分企业采用单室多片式生产工艺,这种方式对于提高生产效率起到非常大的作用,但单室多片这种工艺由于芯片之间距离小,芯片面积大这些问题,装卸片大多采用人工装卸,这样不光效率慢而且浪费人力,并且人力在装卸片的过程中会发生安全方面的事故,而且人员在装入芯片时,容易把芯片的膜面装反。目前芯片装卸多采用吸盘式手臂取出,但这种模式在单室多片生产方式下,由于工件架内的空间不足,所以无法实现。
发明内容
为解决以上技术上的不足,本实用新型提供了一种使用方便安全的自动装卸PECVD工件架内芯片的装置。
本实用新型是通过以下措施实现的:
本实用新型的一种自动装卸PECVD工件架内芯片的装置,包括:
工件架移动底座,工件架固定在其顶部,工件架移动底座底部设置有轮子,轮子下方的地面上铺设有导轨;
两个芯片导轨架,分别设置在工件架移动底座的左右两侧,并与工件
架的左右开口相对;每个芯片导轨架包括横向设置在顶部的上芯片导槽和横向设置在底部且与上芯片导槽相对的下芯片导槽,上芯片导槽和下芯片导槽之间设置有可左右伸缩的工作臂,所述工作臂端部设置有夹持装置;芯片导轨架底部设置有前后平移机构和定位装置;所述工作臂、夹持装置、前后平移机构和定位装置信号连接有控制器。
上述芯片导轨架底部设置有翻转轴,所述翻转轴连接有翻转电机,芯片导轨架前方或后方设置有气浮平台。
上述夹持装置包括两个横向并排的长方形夹板,所述夹板外侧垂直连接有推动气缸,推动气缸的控制开关与控制器信号连接。
上述工件架移动底座设置有行走电机,所述行走电机驱动连接轮子。
上述前后平移机构包括纵向设置在芯片导轨架下方的丝杠,芯片导轨架底部设置有与丝杠相配合的丝母,所述丝杠连接有驱动电机,驱动电机与控制器信号连接。
上述定位装置为红外线定位装置,并与控制器信号连接。
上述工作臂上设置有检测轴向压力的压力传感器,压力传感器与控制器信号连接。
上述夹板采用聚四氟材质。
本实用新型的有益效果是:即可以节约人力成本,避免人员在搬动芯片过程中产生碎片划伤现象,也可以节约时间,实现自动化产线的衔接,适合大规模生产。对于增大产能与自动化生产都有很大的推广价值。
附图说明
图1 为本实用新型的整体结构示意图。
图2为本实用新型的芯片导轨架的结构示意图。
图3为本实用新型的工件架移动底座的结构示意图。
图4为本实用新型的工件架的结构示意图。
其中:1工件架,2工件架移动底座,3芯片导轨架,4工作臂,5夹板,6丝杠,7上芯片导槽,8下芯片导槽,9翻转电机,10定位装置,11压力传感器,12行走电机,13轮子,14导轨,15定位柱,16芯片。
具体实施方式
如图1所示,本实用新型的一种自动装卸PECVD工件架1内芯片16的装置,包括工件架移动底座2和两个芯片导轨架3。
如图3所示,工件架移动底座2,工件架1固定在其顶部,工件架1
移动底座底部设置有轮子13,轮子13下方的地面上铺设有导轨14;工件架移动底座2设置有行走电机12,行走电机12驱动连接轮子13。方便移动,而且避免与导轨14架空间占用冲突 。有利于双向取付。
如图2、4所示,两个芯片导轨架3,分别设置在工件架移动底座2的
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的