[实用新型]低功耗自断电电路及其电平转换电路

权利要求书

1.一种电平转换电路，其特征在于，

所述电平转换电路的输入信号是第二电压域的信号PD，将该信号转换后得到的输出信号是第一电压域的信号PD_OUT，其中，所述第一电压域的第一电压VDD1大于第二电压域的第二电压VDD2；

所述电平转换电路，包含管MN1和管MN2的两个NMOS晶体管，管MP1和管MP2的两个PMOS晶体管，以及二极管串；所述二极管串由多个二级管接法的PMOS晶体管连接组成，每个所述二级管接法的PMOS晶体管的栅极与漏极相连；所述二极管串中第一个二级管接法的PMOS晶体管的源极接第一电压VDD1；

管MN1和管MP1组成一个反相器：使管MN1和管MP1的栅极连接至输入端来接收第二电压域的信号PD，管MN1和管MP1的漏极连接于信号端PD_，管MN1的源极接地，管MP1的源极接所述二极管串中最后一个所述二级管接法的PMOS晶体管的漏极；

管MN2和管MP2组成另一个反相器：管MN2和管MP2的栅极连接于信号端PD_，管MN2和管MP2的漏极连接至输出端来发送第一电压域的信号PD_OUT，管MN2的源极接地，管MP2的源极接第一电压VDD1。

2. 如权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，

所述二极管串中二级管接法的PMOS晶体管的数量，由所述第一电压VDD1与第二电压VDD2的电压差及任意一个所述二级管接法的PMOS晶体管的正向导通阈值电压决定，该数量为所述电压差除以所述正向导通阈值电压的值按四舍五入得到的整数值。

3.一种低功耗自断电电路，其特征在于，所述低功耗自断电电路包含：

工作在第二电压域的第二电压VDD2下的工作电路（401），以及工作在第一电压域的第一电压VDD1下的电平转换电路（402）、触发器（404）、电源电路（405）、与门（408）、接高电路（409）；

所述工作电路（401）产生的电压关断信号PD，经过所述电平转换电路（402）转换后，发送至所述触发器（404）的时钟端CK；所述触发器（404）的输出端Q连接至所述电源电路（405），以便于控制该电源电路（405）是否向工作电路（401）提供第二电压VDD2；所述触发器（404）的输入端D通过接高电路（409）连接至高电平的第一电压VDD1；唤醒信号WAKEUP和上电复位信号POR分别连接至所述与门（408）的输入端，所述与门（408）的输出端连接至触发器（404）的清零端RN。

4. 如权利要求3所述的低功耗自断电电路，其特征在于，

所述第一电压VDD1大于第二电压VDD2时，所述电平转换电路（402）包含管MN1和管MN2的两个NMOS晶体管，管MP1和管MP2的两个PMOS晶体管，以及二极管串；

所述二极管串由多个二级管接法的PMOS晶体管连接组成，每个所述二级管接法的PMOS晶体管的栅极与漏极相连；所述二极管串中第一个二级管接法的PMOS晶体管的源极接第一电压VDD1；

管MN1和管MP1组成一个反相器：使管MN1和管MP1的栅极连接至输入端来接收第二电压域的信号PD，管MN1和管MP1的漏极连接于信号端PD_，管MN1的源极接地，管MP1的源极接所述二极管串中最后一个所述二级管接法的PMOS晶体管的漏极；

管MN2和管MP2组成另一个反相器：管MN2和管MP2的栅极连接于信号端PD_，管MN2和管MP2的漏极连接至输出端来发送第一电压域的信号PD_OUT，管MN2的源极接地，管MP2的源极接第一电压VDD1。

5.如权利要求4所述的低功耗自断电电路，其特征在于，

所述二极管串中所述二级管接法的PMOS晶体管的数量，由所述第一电压VDD1与第二电压VDD2的电压差及任意一个所述二级管接法的PMOS晶体管的正向导通阈值电压决定，该数量为所述电压差除以所述正向导通阈值电压的值按四舍五入得到的整数值。