[实用新型]静电吸附承载盘有效
| 申请号： | 201320569706.0 | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN203491241U | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 陈宜杰;罗世欣 | 申请（专利权）人： | 聚昌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 王伟锋;刘铁生 |
| 地址： | 中国台湾新竹县湖*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 吸附 承载 | ||
【权利要求书】：
1.一种静电吸附承载盘，其特征在于，可吸附一晶圆，并包括：
一承载主体，设置于一电浆制程设备中；以及
一静电层，设置于该承载主体的上方，并通过一静电力吸附一晶圆；其中，该静电力透过一静电产生器产生。
2.根据权利要求1所述的静电吸附承载盘，其特征在于，其中，该静电产生器具有一第一正极及一第一负极，并同时接触该静电层，以在该静电层内产生静电力。
3.根据权利要求2所述的静电吸附承载盘，其特征在于，其中，该静电层还具有一第二正极以及一第二负极；该第二正极以及该第二负极延伸至该承载主体的下方，并分别连接该静电产生器的第一正极及第一负极，以产生静电力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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