[实用新型]静电吸附承载盘

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体的设备，特别是指一种用于吸附半导体晶圆的静电吸附承载盘。

背景技术

早期半导体设备是以力学式晶圆座或是机械式固定器(Mechanical Clamp)来箝制晶圆，使用机械式固定器有许多缺点，例如影响制程速度，容易产生人为疏失造成破片等等，此外，当晶圆尺寸逐渐变大后，还衍生了许多问题，像是晶圆拱起造成蒸镀不均、容易造成污染、保养不易、边缘使用性差及减少生产量等缺点；为了解决这些问题，早期半导体设备厂需要花费高额的人力训练费用来避免人为疏失。

此外，还发展出真空式晶圆座，其原理是在其晶圆与晶圆座中间抽气，利用晶圆上下面的气体压力差以达固定晶圆的目的。然而，真空式晶圆座具有以下缺点：无法在制程真空中环境里使用，而且抽气处的晶圆压力差较大，造成晶圆受力不均。

之后，经过长期研究，终于发展出静电式晶圆座，以改善既有的缺点，其中，所谓的静电式晶圆座具有静电吸盘（E-chuck），主要是靠下方的直流电压，使得上方的介电层(dielectric layer)产生静电力而吸附芯片；电压持续作用的结果，使得下电极的电荷会通过介电层而聚集在介电层的表面，而聚集和极化的速度和此覆盖层上的电阻有关，所以，一般而言，介电层愈厚，对于芯片的吸附力会较小。

静电式晶圆座有效改善现况，也逐渐取代传统机械式固定器，克服了力学式晶圆座所产出的问题及真空式晶圆座使用上的限制，并广泛地在电浆制程中被使用。静电式晶圆座能提供均匀的吸附力，不致造成晶圆拱起；保持晶圆平坦性，能有效利用晶圆上的面积，增加产能；不直接暴露于电浆制程环境中，延长晶圆座的使用时间寿命，且不会造成微粒污染；提供良好的热传效果，达到晶圆温度均匀性等优点。

有鉴于静电式晶圆座已广泛的被应用，为了使其更加方便，本实用新型的设计人极力研究，试图找出适合方式，在经过长时间的研究之后，终于研究出一种静电吸附承载盘。

实用新型内容

本实用新型的主要目的，旨在提供一种静电吸附承载盘，在生产机台外产生静电力，吸附晶圆后，再装入机台内；如此，机台内在作业时，无须等待静电吸附的步骤，完成生产作业后，直接再更换一个乘载有晶圆的静电吸附承载盘，可加快作业的速度，提高产能。

为了达成本实用新型的上述目的，本实用新型的设计人提出一种静电吸附承载盘，可吸附一晶圆，并包括：

一承载主体，设置于一电浆制程设备中；以及

一静电层，设置于该承载主体的上方，并通过一静电力吸附一晶圆；其中，该静电力透过一静电产生器产生。

如上所述的静电吸附承载盘，其中，该静电产生器具有一第一正极及一第一负极，并同时接触该静电层，以在该静电层内产生静电力。

如上所述的静电吸附承载盘，其中，该静电层还具有一第二正极以及一第二负极；该第二正极以及该第二负极延伸至该承载主体的下方，并分别连接该静电产生器的第一正极及第一负极，以产生静电力。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于：

本实用新型的静电吸附承载盘突破以往对静电式晶圆座的应用，相较于过去，本实用新型的静电吸附承载盘可拆卸，在生产机台外产生静电力，吸附晶圆后，再装入机台内；如此，机台在作业时，无须等待静电吸附的步骤，完成生产作业后，直接再更换一个乘载有晶圆的静电吸附承载盘，可加快作业的速度，提高产能。

附图说明

图1为本实用新型一种静电吸附承载盘的第一实施例的示意图；

图2为本实用新型的第一实施例静电产生器在静电层产生静电力的示意图；

图3为本实用新型的一种静电吸附承载盘的第二实施例的示意图；

图4为本实用新型的第二实施例静电产生器在静电层产生静电力的示意图。

图中主要符号说明：

11：承载主体                       12：静电层

121：第二正极                      122：第二负极

2：晶圆                            3：电浆制程设备

4：静电产生器                      41：第一正极

42：第一负极

具体实施方式

为了能够更清楚地描述本实用新型所提出的一种静电吸附承载盘，以下将配合说明与图式，详细说明本实用新型的技术特征。