[实用新型]电致发光装置有效
申请号: | 201320588548.3 | 申请日: | 2013-09-23 |
公开(公告)号: | CN203456464U | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 程鸿飞;张玉欣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 装置 | ||
1.一种电致发光装置,包括:彩膜基板和阵列基板;所述彩膜基板包括:第一基板,依次设置于所述第一基板上的第一电极、有机发光层和第二电极;
所述阵列基板包括:第二基板,依次设置在第二基板上的薄膜晶体管、保护层及连接到薄膜晶体管漏极的连接电极;所述第二电极和所述连接电极表面接触且电连接,其特征在于,
所述第二电极和所述连接电极中,其中之一的表面呈波浪状,或者,二者的表面均呈波浪状。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述连接电极下方的保护层上设置有:多个波浪状凸起或点状凸起。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述波浪状凸起或者所述点状凸起与所述保护层一体成型。
4.根据权利要求1-3任一项所述的装置,其特征在于,所述保护层选用下述之一材料制成,或者下述多种材料制成的复合膜层:
氮化硅,氧化硅,或者感光树脂。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述感光树脂为:聚丙烯酸类树脂,或者聚酰亚胺类树脂,或者聚酰胺类树脂。
6.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述波浪状凸起或点状凸起的材质为感光树脂。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述保护层的材质为氮化硅或者氧化硅。
8.根据权利要求2、3、6、7任一项所述的装置,其特征在于,所述保护层的厚度为2~4微米,所述保护层上点状凸起或波浪状凸起的高度为1.5~2.5微米。
9.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第二电极下方的有机发光层表面设置有多个波浪状凸起或点状凸起。
10.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述保护层设置有保护层过孔,所述连接电极通过所述保护层过孔与所述薄膜晶体管的漏极相连。
11.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述连接电极的厚度为0.3~1微米。
12.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述连接电极选用下述材料中一种或几种制成:
铜、钼、锡、铝、银。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320588548.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种晶体硅太阳电池前电极
- 下一篇:一种G24型单端荧光灯灯头塑件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的