[实用新型]电致发光装置有效
申请号: | 201320588548.3 | 申请日: | 2013-09-23 |
公开(公告)号: | CN203456464U | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 程鸿飞;张玉欣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示领域,尤其涉及一种电致发光装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED),又称有机电激光显示(Organic Electroluminescence Display,OELD),由于同时具备自发光,不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、使用温度范围广、构造及制程简单等优异特性,近来已普遍应用于移动通信终端、个人数字助理(PDA)、掌上电脑等。
OLED装置分为无源矩阵型和有源矩阵型OLED装置,其中有源矩阵型OLED是指每个OLED都由薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)电路来控制流过OLED的电流,具有发光效率高和图像显示效果好的特点。
如图1所示,一种现有有源矩阵型OLED显示装置,包括:彩膜基板20和阵列基板10,其中,阵列基板10包括:第一基板11,依次设置在第一基板11上的薄膜晶体管12阵列、保护层13和连接电极14,连接电极14通过保护层过孔与薄膜晶体管12的漏极连接;彩膜基板20包括:第二基板21,依次设置在第二基板21上的彩色滤光层、平坦层23、第一电极24、有机发光层(Organic Electro-Luminescence,有机EL)25和第二电极26,其中彩色滤光层包括:黑矩阵221,由黑矩阵221分隔开的色阻块222。彩膜基板20和阵列基板10对盒后,第二电极26与阵列基板10上的连接电极14一一对应接触,从而实现薄膜晶体管12与发光OLED的电连接。
为了使对盒后连接电极14和第二电极26充分接触,提升薄膜晶体管12和第二电极26电连接的可靠性,连接电极14通常制备得比较厚(一般为2-3微米),但如果连接电极14和/或第二电极26的接触表面附有杂质,还是极容易造成接触不良。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种电致发光装置,可提高薄膜晶体管与有机发光二极管电连接的可靠性。
为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:
本实用新型的实施例提供一种电致发光装置包括:彩膜基板和阵列基板;所述彩膜基板包括:第一基板,依次设置于所述第一基板上的第一电极、有机发光层和第二电极;所述阵列基板包括:第二基板,依次设置在第二基板上的薄膜晶体管、保护层及连接到薄膜晶体管漏极的连接电极;所述第二电极和所述连接电极表面接触且电连接,所述第二电极和所述连接电极中,其中之一的表面呈波浪状,或者,二者的表面均呈波浪状。
优选地,所述连接电极下方的保护层上设置有:多个波浪状凸起或点状凸起。
优选地,所述波浪状凸起或者所述点状凸起与所述保护层一体成型。
优选地,所述保护层选用下述之一材料制成,或者下述多种材料制成的复合膜层:
氮化硅,氧化硅,或者感光树脂。
可选地,所述感光树脂为:聚丙烯酸类树脂,或者聚酰亚胺类树脂,或者聚酰胺类树脂。
可选地,所述波浪状凸起或点状凸起的材质为感光树脂。
可选地,所述保护层的材质为氮化硅或者氧化硅。
优选地,所述保护层的厚度为2~4微米,所述保护层上点状凸起或波浪状凸起的高度为1.5~2.5微米。
可选地,所述第二电极下方的有机发光层表面设置有多个波浪状凸起或点状凸起。
可选地,所述保护层设置有保护层过孔,所述连接电极通过所述保护层过孔与所述薄膜晶体管的漏极相连。
优选地,所述连接电极的厚度为0.3~1微米。
可选地,所述连接电极选用下述材料中一种或几种制成:铜、钼、锡、铝、银。
彩膜基板与阵列基板对盒后,阵列基板上的连接电极通过与第二电极顶面的接触,从而实现薄膜晶体管与发光器件的电连接,本实用新型实施例提供的电致发光装置,将第二电极和连接电极其中之一的表面,或者二者的表面均设置成波浪状,利用波浪状电极的凸点连接,使连接电极和第二电极的接触更可靠,即便连接电极和/或第二电极的接触表面附有杂质,也能保证薄膜晶体管与第二电极电连接的可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为现有有源矩阵型OLED显示装置的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的