[实用新型]晶体生长设备的底盘有效
申请号: | 201320592389.4 | 申请日: | 2013-09-23 |
公开(公告)号: | CN203487281U | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 邱萍;茅陆荣;李广敏;朱晓龙;缪锦泉 | 申请(专利权)人: | 森松(江苏)重工有限公司 |
主分类号: | C30B35/00 | 分类号: | C30B35/00;C30B29/20 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 226500 江苏省南通市如皋市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体生长 设备 底盘 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种底盘,特别涉及一种晶体生长设备的底盘。
背景技术
随着新材料产业的发展,适应不同材料的生产设备的需求越来越多。例如作为一种新材料的蓝宝石晶体,由于蓝宝石晶体硬度很高,其莫氏硬度9级,仅次于最硬的金刚石。它具有很好的透光性,热传导性和电气绝缘性,力学机械性能好,并且具有耐磨和抗风蚀的特点。并且蓝宝石晶体的熔点为2050℃,沸点3500℃,最高的工作温度可达1900℃。所以广泛地应用于科学技术、国防与民用工业、电子技术等诸多领域。
但由于这些材料在生产时,很多是要在高温条件下实现的,所以此时设备底盘就需要进行冷却来保证设备的安全运行,并保证设备内部合理的热场分布。
而目前现有设备底盘的冷却结构并没有考虑到当冷却介质通入设备底盘内部腔体时,无法将底盘内的气体完全排出,所以会导致底盘上部存在气膜,不但会使冷却效果降低,而且会对设备内部的热场分布造成影响,更会使设备存在安全隐患,甚至将底盘烧坏,造成经济损失。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种晶体生长设备的底盘,能使冷却介质在通入时充分布满底盘空间,排除多余气体,保证冷却效果,并且避免了随底盘温度的上升而造成的安全隐患,确保晶体生长的可靠以及设备的安全。
为了实现上述目的,本实用新型提供了一种晶体生长设备的底盘,包含由底盘环、上挡板、下挡板构成的底盘主体;所述上挡板、所述下挡板与所述底盘环之间形成腔体;
所述晶体生长设备的底盘还包含:分别沿轴向贯穿所述下挡板的进口管和出口管;所述进口管通过所述腔体与所述出口管导通;
所述晶体生长设备的底盘还包含:径向插入所述底盘环内的排气管,所述排气管与所述腔体导通。
本实用新型的实施方式相对于现有技术而言,当设备内部需要进行加热时,为了保证设备整体的安全性,冷却介质是不断通过进口管进入底盘腔体内的,然后通过出口管将换热后的介质排出,从而使整个底盘维持在适合的温度,使晶体生长设备内部的热场稳定,保证晶体生长的质量,同时保证了设备安全。在设备升温前,通过排气管将腔体内多余的空气排除,避免在底盘上部产生一层气膜而造成传热效率的降低,避免了晶体因晶体生长设备内部热场不适合而产生质量缺陷。并且,由于通过排气管能够将腔体内多余的气体排除干净,所以保证了设备的安全运行,消除了安全隐患。
另外,由于所述进口管和所述出口管分别位于所述下挡板同一轴线的两端,当冷却介质通过进口管流入腔体内时,只有当冷却介质满足一定的流量后,才会从另一端的出口管流出,从而保证了冷却介质能够尽可能的充满整个腔体,达到最好的冷却效果。
进一步的,由于所述出口管的进口端穿过所述下挡板,并延伸至所述上挡板的下表面;且所述上挡板的下表面对应所述出口管的进口端开设第一槽体,所述第一槽体与所述出口管的进口端在同一轴线上,且所述第一槽体的直径大于所述出口管进口端的直径。另外,所述第一槽体的深度为所述上挡板厚度的1/16至1/8。所以只有当腔体内的冷却介质填充接近至饱和状态时,经换热后的冷却介质才会由上挡板上的第一槽体流入出口管内,并由出口管排出换热后的冷却介质,避免冷却介质还没有充满整个腔体,即从出口管中流出,从而进一步增强了对设备的冷却效果。
进一步的,所述排气管的进口端穿过所述底盘环的一侧,并延伸至所述上挡板的下表面;所述上挡板的下表面对应所述排气管的进口端开设第二槽体,所述第二槽体与所述排气管的进口端在同一轴线上,且所述第二槽体的直径大于所述排气管进口端的直径。另外,所述第二槽体的深度为所述上挡板厚度的1/8至1/4。由于排气管的进口端穿过底盘环,并延伸至上挡板的下表面,且上挡板的下表面对应该出口管的进口端开设有第二槽体,所以当底盘腔体内开始通入冷却介质时,腔体内的气体不断通过上挡板的第二槽体进入排气管内排出腔体内多余的气体,直到冷却介质从排气口流出,说明冷却介质已布满整个腔体,避免留有残余气体影响底盘冷却、影响晶体生长质量、甚至影响设备安全。
并且,为了满足实际使用时的需求,所述排气管的进口端可与所述上挡板的下表面齐平;或,所述排气管的进口端有部分插入所述第二槽体内,插入部分为所述上挡板厚度的3/16至1/4。另外,所述腔体内还设有螺旋导流板。通过螺旋导流板可进一步优化设备的换热。
附图说明
图1是本实用新型第一实施方式的晶体生长设备的底盘的结构示意图。
具体实施方式
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