[实用新型]集成电路结构有效
| 申请号： | 201320593791.4 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN203659863U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | N·劳贝特;B·普拉纳撒蒂哈兰 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/06;H01L29/161 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 | ||
1.一种集成电路结构，其特征在于，包括：
在衬底上的n型区域和p型区域二者之上的栅极电极；以及
在通过去除硅锗区域而留下的至少定义空间中与在所述n型区域之上的所述栅极电极相邻的硅锗碳区域。
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述硅锗碳区域邻接在所述n型区域之上的所述栅极电极上的侧壁间隔物。
3.根据权利要求2所述的集成电路结构，其特征在于，还包括：
在所述侧壁间隔物上并且在所述硅锗碳区域之上的图案化硬掩模的剩余物。
4.根据权利要求3所述的集成电路结构，其特征在于，所述硬掩模剩余物由氮化硅形成。
5.根据权利要求4所述的集成电路结构，其特征在于，外延地生长所述硅锗碳区域。
6.一种集成电路结构，其特征在于，包括：
在衬底上的n型区域和p型区域二者之上的栅极电极；
与在所述p型区域之上的所述栅极电极相邻的硅锗区域；
在所述p型区域上的结构之上的图案化硬掩模；
用于在所述n型区域之上的所述栅极电极上的侧壁间隔物上的所述硬掩模的材料的剩余物；以及
与在所述n型区域之上的所述栅极电极相邻并且在所述硬掩模剩余物之下的包含至少硅和锗的区域。
7.根据权利要求6所述的集成电路结构，其特征在于，与在所述n型区域之上的所述栅极电极相邻并且在所述硬掩模剩余物之下的包含至少硅和锗的所述区域是与在所述p型区域之上的所述栅极电极相邻的所述硅锗区域并行形成的硅锗区域。
8.根据权利要求6所述的集成电路结构，其特征在于，与在所述n型区域之上的所述栅极电极相邻并且在所述硬掩模剩余物之下的包含至少硅和锗的所述区域是在所述硬掩模剩余物之下外延生长的硅锗碳区域。
9.根据权利要求8所述的集成电路结构，其特征在于，所述硬掩模由氮化硅形成。
10.根据权利要求9所述的集成电路结构，其特征在于，与在所述n型区域之上的所述栅极电极相邻并且在所述硬掩模剩余物之下的包含至少硅和锗的所述区域是在所述侧壁间隔物与从相接区域分离所述n型区域的隔离区域之间的区域。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
