[实用新型]电致发光装置有效
申请号: | 201320597543.7 | 申请日: | 2013-09-23 |
公开(公告)号: | CN203456466U | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 程鸿飞;张玉欣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示领域,尤其涉及一种电致发光装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED),又称有机电激光显示(Organic Electroluminescence Display,OELD),由于同时具备自发光,不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、使用温度范围广、构造及制程简单等优异特性,近来已普遍应用于移动通信终端、个人数字助理(PDA)、掌上电脑等。
如图1所示,一种现有有源矩阵型OLED显示装置,包括:彩膜基板20和阵列基板10,其中,阵列基板10包括:基板11,依次设置在基板11上的薄膜晶体管12阵列、保护层13和连接电极14,连接电极14通过保护层过孔与薄膜晶体管12的漏极连接;彩膜基板20包括:第二基板21,依次设置在第二基板21上的彩色滤光层(包括黑矩阵221和由黑矩阵221分隔开的色阻块222R/G/B)、平坦层23、第一电极24、有机发光层(Organic Electro-Luminescence,有机EL)25和第二电极26,制备时,先分别形成阵列基板10和彩膜基板20,然后,在阵列基板10或彩膜基板20的边缘涂敷封框胶30,将阵列基板10与彩膜基板20对盒,使第二电极26与阵列基板10上的连接电极14一一对应接触,实现电连接。
为了使对盒后连接电极14和第二电极26充分接触,提升薄膜晶体管12和第二电极26电连接的可靠性,连接电极14通常制备得比较厚(一般为2-3微米),但这会导致一是制备时形成薄膜的过程耗时长,二是刻蚀薄膜以形成连接电极14时出现刻蚀困难。
实用新型内容
本实用新型的实施例提供一种电致发光装置,在保证薄膜晶体管与第二电极电连接可靠性的同时,还可使连接电极制备过程中的成膜时间缩短,刻蚀难度降低,从而提高生产效率。
为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:
本实用新型的实施例提供一种电致发光装置,包括:阵列基板;所述阵列基板包括:基板,依次设置于所述基板上的薄膜晶体管,覆盖于所述薄膜晶体管之上的保护层,以及设置在所述保护层之上的连接电极;所述连接电极下方的保护层向远离基板的一侧凸起,形成凸台;所述保护层在对应薄膜晶体管漏极的位置设置有保护层过孔,所述连接电极通过所述保护层过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。
可选地,所述保护层过孔位于所述凸台上。
可选地,所述保护层过孔位于所述凸台的一侧,所述连接电极覆盖所述凸台及所述保护层过孔。
优选地,所述连接电极的厚度为0.3~1微米。
优选地,所述保护层的总厚度为2~4微米,所述凸台的台阶高度为1.5~2.5微米。
可选地,所述连接电极选用下述材料中一种或几种制成:
铜、钼、锡、铝、银。
可选地,所述保护层选用下述材料中一种或几种制成:
氮化硅,氧化硅,或者感光树脂。
进一步地,所述电致发光装置还包括:彩膜基板;所述彩膜基板包括:第二基板,依次设置于所述第二基板上的彩色滤光层,平坦层,第一电极、有机发光层和第二电极;所述第二电极与所述连接电极接触且电连接。
本实用新型实施例提供的电致发光装置,通过将连接电极下方的保护层设计成凸台形状,垫高连接电极,可使得连接电极的厚度进一步减薄(本实用新型连接电极的厚度可减至0.3~1微米),从而使连接电极制备过程中的成膜时间缩短,刻蚀难度降低,进而提高生产效率;同时将连接电极垫高,还可保证薄膜晶体管与第二电极电连接的可靠性,同时避免对盒过程中及对盒后彩膜基板与阵列基板相互挤压或摩擦对薄膜晶体管阵列造成损伤,提高良品率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为现有有源矩阵型OLED显示装置的结构示意图;
图2(a)为本实用新型实施例一提供的电致发光显示装置的结构示意图一;
图2(b)为本实用新型实施例一提供的电致发光显示装置的结构示意图二;
图3为本实用新型实施例二电致发光显示装置的制备方法中阵列基板制程流程图;
图4为本实用新型实施例二提供的多阶曝光工艺形成保护层的流程图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的