[实用新型]一种阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：氧化物有源层，其特征在于， 

所述氧化物有源层包括未经过金属化处理过的半导体区域和经过金属化处理过的金属氧化物导体区域； 

其中，所述阵列基板还包括刻蚀阻挡层和源漏电极层， 

所述半导体区域和刻蚀阻挡层的位置相对应； 

所述金属氧化物导体区域与所述源漏电极位置相对应。 

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括栅极、栅极绝缘层、像素电极层和钝化层。 

3.如权利要求1-2任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物有源层包括InGaZnO、InGaO、ITZO、AlZnO中的至少一种。 

4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具体包括： 

基板，所述基板上设有栅极、栅绝缘层、氧化物有源层、刻蚀阻挡层、源漏电极层、钝化层和像素电极层； 

所述氧化物有源层包括未经过金属化处理过的半导体区域和经过金属化处理过的金属氧化物导体区域； 

所述半导体区域和刻蚀阻挡层的位置相对应，且位于刻蚀阻挡层的下方； 

所述金属氧化物导体区域与所述源漏电极层位置相对应，且位于源漏电极层的下方。 

5.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具体包括： 

基板，所述基板上设有像素电极层、源漏电极层、刻蚀阻挡层、氧化物有源层、栅绝缘层、栅极和钝化层； 

所述氧化物有源层包括未经过金属化处理过的半导体区域和经过金属化处理过的金属氧化物导体区域； 

所述半导体区域和刻蚀阻挡层的位置相对应，且位于刻蚀阻挡层的上方； 

所述金属氧化物导体区域与所述源漏电极层位置相对应，且位于源漏电极层的上方。 

6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的阵列基板。