[实用新型]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

液晶显示作为一种重要的平板显示方式，近十多年有了飞速的发展。液晶显示有轻、薄、低能耗等优点，被广泛应用与电视、计算机、手机、数码相机等现代化信息设备。近年来，氧化物薄膜晶体管（Oxide TFT）因迁移率高备受业界关注。氧化物因较高的迁移率可减小薄膜晶体管尺寸，提升分辨率。提升分辨率同时需减小源漏电极线的宽度，但这样导致金属线容易发生断线现象。

实用新型内容

（一）要解决的技术问题

本实用新型要解决的技术问题是提供一种阵列基板及显示装置，以克服现有技术中源漏电极线电阻值较大且容易发生断线的缺陷。

（二）技术方案

为了解决上述技术问题，本实用新型一方面提供一种阵列基板，包括：氧化物有源层，所述氧化物有源层包括未经过金属化处理过的半导体区域和经过金属化处理过的金属氧化物导体区域。

优选地，所述阵列基板还包括刻蚀阻挡层和源漏电极层，

所述半导体区域和刻蚀阻挡层的位置相对应；

所述金属氧化物导体区域与所述源漏电极位置相对应。

优选地，所述阵列基板还包括栅极、栅极绝缘层、像素电极层和钝化层。

优选地，所述氧化物有源层包括InGaZnO、InGaO、ITZO、AlZnO中的至少一种。

优选地，所述阵列基板具体包括：

基板，所述基板上设有栅极、栅绝缘层、氧化物有源层、刻蚀阻挡层、源漏电极层、钝化层和像素电极层；

所述氧化物有源层包括未经过金属化处理过的半导体区域和经过金属化处理过的金属氧化物导体区域；

所述半导体区域和刻蚀阻挡层的位置相对应，且位于刻蚀阻挡层的下方；

所述金属氧化物导体区域与所述源漏电极层位置相对应，且位于源漏电极层的下方。

优选地，所述阵列基板具体包括：基板，所述基板上设有像素电极层、源漏电极层、刻蚀阻挡层、氧化物有源层、栅绝缘层、栅极和钝化层；

所述氧化物有源层包括未经过金属化处理过的半导体区域和经过金属化处理过的金属氧化物导体区域；

所述半导体区域和刻蚀阻挡层的位置相对应，且位于刻蚀阻挡层的上方；

所述金属氧化物导体区域与所述源漏电极层位置相对应，且位于源漏电极层的上方。

另一方面，本实用新型还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。

（三）有益效果

本实用新型实施例通过将氧化物有源层中部分区域形成金属氧化物导体层，由于金属氧化物导体层具有导体特征，可有效减小数据线的电阻且最大程度降低源漏电极发生断线的几率。

附图说明

图1为本实用新型实施例阵列基板结构平面图；

图2为本实用新型实施例阵列基板中栅极完成后的截面图；

图3为本实用新型实施例阵列基板中刻蚀阻挡层制作完成后截面图；

图4为本实用新型实施例阵列基板中数据线层制作完成后截面图；

图5为本实用新型实施例阵列基板中过孔工艺制作完成后截面图；

图6为本实用新型实施例阵列基板中像素电极工艺制作完成后整个阵列基板截面图；

图7为本实用新型实施例阵列基板制作方法流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。

实施例一

本实施例中提供一种阵列基板，该阵列基板以底栅结构为例进行说明。

如图1和图6所示，该阵列基板包括基板0，在基板0上设有栅极11、栅极绝缘层21、氧化物有源层、刻蚀阻挡层23、源漏电极层31、钝化层41和像素电极层51；所述钝化层41上设有过孔42，像素电极层51通过过孔42与漏电极连接。

所述氧化物有源层包括未经过金属化处理过的半导体区域22和经过金属化处理过的金属氧化物导体区域24；

所述半导体区域22和刻蚀阻挡层23的位置相对应，且位于刻蚀阻挡层23的下方；

所述金属氧化物导体区域24与源漏电极31的位置相对应，且位于源漏电极31的下方。

其中，氧化物有源层包括InGaZnO、InGaO、ITZO、AlZnO中的至少一种。当然，该氧化物有源层的材质除了列举出来的几种，也可以为与上述材料具有相同或相似特征的其他材料。