[实用新型]晶片烘烤装置及带有该装置的自动显影机

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种晶片烘烤装置及带有该装置的自动显影机，其可应用于光刻工艺。

背景技术

在半导体器件制造中，经常采用光刻工艺对基板进行构图。光刻工艺一般包括在基板上涂敷光刻胶、对涂敷在基板上的光刻胶进行曝光图案、显影、蚀刻和光刻胶去除处理。由于温度会影响光刻胶厚度从而影响显影后的图案，因此在对涂敷在基板上的光刻胶进行曝光图案、烘烤后，需进行冷却工艺，使匀胶之后的晶圆保持在预定温度，以防止高温加速化学反应引起图形差异(pattern profile uniformity issue )。

在现有的自动显影机中，一般都是热盘（烘烤装置）和冷盘（冷却装置）独立于不同的处理室内，通过机械手臂进行芯片在各个处理室的传递。因此，芯片在光刻胶进行曝光图案、烘烤后，一般无法进行快速有效地冷却即被机械手臂传递至显影装置中进行显影，如此造成了图形差异现象。

发明内容

针对上述问题，本实用新型提出了一种带有冷却装置的晶片烘烤装置及带有该装置的自动显影机，其可应用于上胶机、自动显示机等光刻工艺设备中。

本实用新型解决技术的技术方案为：晶片烘烤装置，包括：烘烤室，具有用于放/取晶片的开口；热盘，安装于所述烘烤室内，用于放置晶片；冷却单元，安装于烘烤室内，用于冷却烘烤处理后的晶片。

优先的，所述开口可闭合。

优先的，所述冷却单元为气体吹扫元件。

在一些实施例中，该烘烤装置还包括一供气单元，与所述气体吹扫元件连接。所述用于冷却单元的气体为N₂或空气其温度为室温（环境温度），或低于室温。所述气体吹扫元件安装于所述烘烤室的侧壁或顶部。

在一些实施例中，在所述烘烤室外还设有一个抽气泵，与所述气体吹扫元件连接，用于抽排烘烤室内的气体。

进一步的，所述气体吹扫元件具有一个或多个吹扫口。对于小尺寸晶片（如2 inch），一般只需一个吹扫口即可。对于较大尺寸晶片（如6 inch以上），一般可设计多个吹扫口，或直接将所述吹扫口设计为在吹扫气体时可转动，从而保证晶片整体的冷却效果。

优选的，所述晶片烘考装置还包括一控制单元，用于控制所述冷却单元：当晶片进行烘烤处理完毕马上进行冷却。

本实用新型至少具有以下有益效果：1）直接在烘烤室内安装冷却单元，在对晶片进行曝光后烘烤(PEB，Post Exposure Bake)完毕即对晶片进行快速冷却，使晶片保持在预定温度（环境温度），防止高温加速化学反应引起过显影；2）提高生产效率。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本实用新型的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。

图1为实施例1之一种晶片烘烤装置的剖面图。

图2为实施例2之一种晶片烘烤装置的剖面图。

具体实施方式

下面各实施例公开了一种应用于光刻工艺的晶片烘烤装置，可直接应用于自动显影机或上胶机。该晶片烤烤装置直接在烘烤室内安装了晶片冷却单元，从而在晶片做完硬烤处理后可马上进行冷却，使得晶片保持在预定温度（环境温度），可以有效防止高温加速化学反应引起过显影。

下面结合附图和实施例对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。

实施例1

请参看附图1，一种晶片烘烤装置，包括烘烤室101，安装于烘烤室内的热盘102、气体吹扫单元103，安装于烘烤室外的供气单元104，及连接所述气体吹扫单元和供气单元的通气管道105。该烘烤装置用于烘烤晶片200。