[实用新型]一种气体混合器有效
申请号: | 201320601602.3 | 申请日: | 2013-09-28 |
公开(公告)号: | CN203474892U | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 刘耀峰;潘振东 | 申请(专利权)人: | 无锡荣能半导体材料有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人: | 刘洪京 |
地址: | 214183 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 气体 混合器 | ||
技术领域
本实用新型属于气体反应装置领域,具体涉及一种气体混合器。
背景技术
在半导体行业中,气相沉积法是制备半导体薄膜材料常用的方法,进行生长时所用的气体通常由载气和多种反应气组成,现有导入气体的方式通常是将各气体的进气管分别直接通入反应室,由于各气体的流速并不相同,进气压力也不同,使得流量大的进气会对流量较小的进气产生一定的挤压作用,而气体在反应室停留时间非常短,使得多种气体在反应室无法充分混合,导致气体在反应室的浓度出现波动,影响半导体薄膜生长质量。
实用新型内容
本实用新型的目的是针对现的气相沉积法入气混合不均匀的问题,提供一种气体混合器。
本实用新型实现上述目的所采用的技术方案如下:
一种气体混合器,包括第一空心球和第二空心球,
在所述第一空心球的一侧设有第一进气管和至少一个第二进气管,所述第一进气管的末端处于第一空心球的出气口处;
所述第一空心球的出气口与所述第二空心球的进气口通过管道连接;
所述第二空心球的出气口方向与第二空心球的进气口方向保持一定的夹角。
进一步,所述第一空心球与第二空心球的直径比为(1~1.5):1。
进一步,所述第一进气管与第二进气管之间的夹角为20~80度。
更进一步,所述第一进气管与第二进气管之间的夹角为50~60度。
进一步,所述第一进气管末段呈收缩状。
更进一步,所述第一进气管末段为锥状管。
进一步,所述第二空心球的出气口方向与第二空心球的进气口方向的夹角为90~150度。
更进一步,所述第二空心球的出气口方向与第二空心球的进气口方向的夹角为120度。
进一步,所述第一空心球设有2~3个第二进气管。
采用本实用新型的气体混合器可以实现气体的快速充分混合,混合气体浓度不易产生波动,混合气体的质量稳定可靠,有效地提高和控制半导体生长质量。
附图说明
图1为本实用新型气体混合器的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
实施例1
如图1所示,所述气体混合器包括第一空心球3和第二空心球4,第一空心球3与第二空心球4的直径比为1.2:1。在第一空心球3的一侧设有第一进气管1和两个第二进气管2,其中,第一进气管1的末段伸入至第一空心球3的内部,并且使第一进气管1的末端处在第一空心球3的出气口处。第一进气管1末段优选呈收缩状,如为锥状管,这样有利于进一步提高该进气管内气体出气时的流速,而两个第二进气管2分别与第一进气管1之间保持60度的夹角。第一空心球3的出气口通过管道6与第二空心球4的进气口连接,在第二空心球4的另一侧设置出气口,并使第二空心球4的出气口方向与第二空心球4的进气口方向保持120度的夹角。第二进气管2的数量可根据实际反应用气种类的多少来确定。
使用时,将气体混合器分别与气源和反应装置连接,其中,流量最大的气体(在通常情况下该气体为载气)从第一进气管1进入,而其它流量相对较小的气体则分别从第二进气管2进入,流量最大的气体由第一进气管1加速喷出后进入第二空心球4,同时在第一空心球3球心产生一负压,从而不会对第二进气管2的气体产生挤压,使第二进所管2中的气体顺利进入第一空心球3,各气体进入第二空心球4后,利用体积的突然变大,使气体在第二空心球4混合,第二空心球4的出气口与入气口呈一定的夹角,避免进入第二空心球4的气流直接对着出气口,这样,气体在第二空心球4内能形成一定的旋流,气体混合充分、均匀。混合气体再由连接在第二空心球4出气口上的出气管5排出并进入反应装置。
最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡荣能半导体材料有限公司,未经无锡荣能半导体材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320601602.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种分体式房间空调器制冷系统
- 下一篇:声弹井口连接器发火机构装卸专用工具
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的