[实用新型]用于晶片甩干的卡匣有效
申请号: | 201320613817.7 | 申请日: | 2013-10-08 |
公开(公告)号: | CN203553117U | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 黄照明;张家豪;徐翊翔;徐胜娟;黄钦泽 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 晶片 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种晶片甩干卡匣,其可应用于晶片甩干机。
背景技术
在半导体器件制造中,光刻、划裂及ICP等工艺过程中均需对晶片进行清洗和甩干。而在甩干过程中易产生静电粒子累积在晶片中造成晶片电性良率降低,尤其是置于甩干卡匣(英文为cassette)后端的晶片更易受此现象影响。附图1为现有常用的晶片甩干卡匣(具体可参看美国专利前案US3,961,877),其一般为注压塑料成型,无法有效消除甩干过程中产生的静电效应,从而影响晶片的电性良率。
发明内容
针对上述问题,本实用新型提出了一种带有静电释放单元的甩干卡匣,其在甩干过程中可有效消除静电效应,改善晶片电性良率。
本实用新型解决技术的技术方案为:甩干卡匣具有一本体,该本体含有:敞开的底部;两侧壁,含有多个用于固定晶片的卡槽;卡匣前端,包含一H型连接部;卡匣后端,包含一静电释放单元。
优选的,所述卡匣前端为H型连接部。
优选的,根据权利要求1所述的晶片甩干卡匣,其特征在于:所述存放于卡匣内的晶片在卡匣后端的投影位于所述静电释放单元内或与该静电释放单元重合。
在一些实施例中,该静电释放单元为所述本体的组成部分,直接与所述两侧壁连接,材质为具有导电性能的导电塑料。
在一些实施例中,该静电释放单元也可为一独立个体,如为导电金属片或镀有导电层的晶片,在使用时安装于甩干卡匣的后端,其形状可为晶片形状、长方形或正方形等,满足存放于卡匣内的晶片在卡匣后端的投影位于所述静电释放单元内或与该静电释放单元重合即可。
本实用新型至少具有以下有益效果:所述静电释放单元可有效耗散甩干过程中产生的粒子,从而减小静电效应对晶片电性能的影响,改善电性良率。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本发明,并不构成对本实用新型的限制。此外,附图数据是描述概要,不是按比例绘制。
图1为现有一种用于晶片甩干的卡匣结构图(US3,961,877)。
图2为本实用新型之实施例1之一种用与晶片甩干的卡匣的俯视图。
图3为图2所示用与晶片甩干的卡匣后部的结构示意图。
图4为图2所示用与晶片甩干的卡匣前部的结构示意图。
图5为本实用新型之实施例2之一种用于晶片甩干的卡匣的俯视图。
图6为实施例2中晶片甩干卡匣的静电释放单元。
具体实施方式
下面各实施例公开了一种应用于晶片甩干机的卡匣。该卡匣在卡匣的尾端(在甩干机中远离转动轴的一端)设有静电释放单元,从而晶片放置于该卡匣中进行高速旋转甩干过程可以消除静电放电(ESD)。
下面结合附图和实施例对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。
实施例1
请参看附图2,一种晶片甩干卡匣,具有本体,该本体包括:敞开的底部270、两侧壁230、卡匣前端210、卡匣后端220、包含于所述两侧壁之间的多个用于固定晶片的卡槽240。
具体的,所述两侧壁通过卡匣前端210和卡匣后端220进行连接。参看图4,甩干卡匣前端210为H型连接部,包含横栏212及竖直柱211。参看图3,甩干卡匣后端220具有两个分别直接与两侧壁230连接的竖直柱221,在竖直柱之间设有静电释放单元250。静电释放单元250构成卡匣本体后部的组成部分,由具有导电特性的材质制成,可为导电塑料等,耗散甩干过程中产生的粒子,消除静电效应的影响,改善晶片的电性能。
实施例2
请参看附图5~6,与实施例1不同的是,静电释放单元250为独立个体,材质为导电金属片、镀有导电层的晶片,或为具有导电功能的其他材料。在使用时直接安装固定于卡匣后端220与靠近后端部最后一个卡槽之间,并且使存放于卡匣内的晶片在卡匣后端220的投影位于所述静电释放单元内或与该静电释放单元重合,用以耗散甩干过程中产生的粒子,从而最终改善晶片电性能。
如此,仅需在现有的晶片卡匣中稍作修改或无需改动,即可有效改善晶片的电性。
应当理解的是,上述具体实施方案为本发明的优选实施例,本发明的范围不限于该实施例,凡依本发明所做的任何变更,皆属本发明的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造