[实用新型]半栅极控制源极肖特基势垒型隧穿场效应晶体管有效
| 申请号： | 201320628974.5 | 申请日： | 2013-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN203521424U | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 靳晓诗;刘溪;揣荣岩 | 申请（专利权）人： | 沈阳工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/47;H01L29/423 |
| 代理公司： | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人： | 宋铁军;周楠 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 控制 源极肖特基势垒型隧穿 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种半栅极控制源极肖特基势垒型隧穿场效应晶体管，其特征在于：包括SOI晶圆的硅衬底（10），SOI晶圆的硅衬底（10）上方为SOI晶圆的绝缘层（9），SOI晶圆的绝缘层（9）上方依次为金属源极（1）、本征硅（2）和重掺杂漏极（3）；其中，金属源极（1）作为器件源电极与本征硅（2）的一端之间的接触部分形成源极肖特基势垒，本征硅（2）的另一端为重掺杂漏极（3），本征硅（2）表面为栅绝缘介质层（4），在栅绝缘介质层（4）靠近源极一侧的上方形成半栅极（5），在栅绝缘介质层（4）及半栅极（5）的上方以及器件隔离部分沉积有层间隔离绝缘介质（8），金属源极（1）上方为源电极金属导线（6），重掺杂漏极（3）上方为漏电极金属导线（7）。
2.根据权利要求1所述的半栅极控制源极肖特基势垒型隧穿场效应晶体管，其特征在于：金属源极（1）与本征硅（2）的一端之间所形成的源极肖特基势垒，其势垒高度小于本征硅的禁带宽度。
3.根据权利要求1所述的半栅极控制源极肖特基势垒型隧穿场效应晶体管，其特征在于：栅绝缘介质层（4）的上方所形成的半栅极（5）只附着于栅绝缘介质层（4）的靠近金属源极（1）一侧的上方，形成对于金属源极（1）和重掺杂漏极（3）的不对称结构。
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