[实用新型]半导体承载装置的弹性限位结构有效
申请号: | 201320636256.2 | 申请日: | 2013-10-15 |
公开(公告)号: | CN203562414U | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 罗郁南 | 申请(专利权)人: | 昆山晨州塑胶有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/673 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 承载 装置 弹性 限位 结构 | ||
1.一种半导体承载装置的弹性限位结构,是一承载装置具有纵横排列的多个围壁,以及由该多个围壁共同围设成形的多个矩阵排列凹槽,该弹性限位结构是成形于该围壁上并位于各该凹槽内;其特征在于:所述各凹槽的该弹性限位结构包括:
多个挡块,各所述挡块具有一与该围壁连接的连接段及一与所述连接段邻接且沿该围壁延伸方向成形的抵制段,各所述挡块具有相对的一顶面及一底面,所述顶面与所述底面之间具有一自该底面朝所述顶面收束的斜面连接,令各所述挡块的该底面宽幅大于所述顶面宽幅。
2.如权利要求1所述的半导体承载装置的弹性限位结构,定义所述多个围壁为相互垂直的多个第一围壁及多个第二围壁,其特征在于:各所述凹槽是于同侧第一围壁设有两个所述挡块。
3.如权利要求1所述的半导体承载装置的弹性限位结构,定义所述多个围壁为相互垂直的多个第一围壁及多个第二围壁,其特征在于:各所述凹槽是于同侧第一围壁设有两个所述挡块,并于同侧第二围壁另设有两个所述挡块。
4.如权利要求1所述的半导体承载装置的弹性限位结构,其特征在于:所述各挡块的该斜面是于该抵制段端部朝向该凹槽处成形一凸出部,所述凸出部成形有一与该挡块顶面连接且朝向该凹槽内部倾斜的斜削面。
5.如权利要求1所述的半导体承载装置的弹性限位结构,其特征在于:所述挡块连接段与所述围壁之间具有一介于90度至30度的夹角。
6.如权利要求1所述的半导体承载装置的弹性限位结构,其特征在于:所述两挡块的该抵制段是分别朝向凹槽相对两侧的所述围壁延伸成形。
7.如权利要求1所述的半导体承载装置的弹性限位结构,其特征在于:所述各凹槽于其中两相对的该围壁设有相对应的两缺口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造