[实用新型]一种除尘风橱

说明书

技术领域

本实用新型涉及IC级硅单晶抛光片技术领域,特别是涉及一种用于硅片背面干法喷砂制造吸杂源以消除硅抛光表面氧化雾的除尘风橱。

背景技术

IC级硅单晶抛光片是制造大规模和超大规模集成电路的核心材料，主要用于高速计算机、航空航天等高科技领域。硅单晶抛光片的微缺陷“氧化雾”一直困扰着高可靠性器件用硅单晶抛光片的质量。长期以来，人们采用多种方法以消除硅抛光片表面的氧化雾。所采用的方法主要是通过吸杂的方式，有内吸杂和外吸杂两种。内吸杂主要是利用硅片中的氧沉淀产生吸杂区消除硅抛光表面的氧化雾，因其设备昂贵，工艺复杂，要求硅片内氧沉淀分布均匀，不易控制，重复性差，因此在国内外应用较少。外吸杂主要是利用外部手段在硅片背面形成损伤或应力，具体方式有在硅片背面用金钢砂带损伤、激光损伤或LPCVD生长多晶硅层等,或者采用辐照、加热预处理、硅片背面软损伤等方法对硅片的氧化雾进行消除。

对硅片的背面采用干法喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面的氧化雾是近年来新兴的一种可有效消除硅抛光片表面的氧化雾,同时又工艺简单合理,投资小，可操作性强，易于实施的外吸杂方法。其是根据背损吸杂原理,在硅片背面干法喷砂，产生晶格损伤或畸变，制造吸杂源，通过对喷砂粒度、喷砂压力、作业片距、时间过程的控制和调制，在硅片背面制造均匀的层错密度，即在硅片背面产生6-38×104个／cm²的损伤层错，诱生堆杂层错，使硅片具有非本征的吸杂能力。在高温下，硅片的杂质会移位，并且转移到硅片里面和背面的非要害部位，在抛光片表面的制作集成电路区域，形成厚度几个um的洁净区，从而获得无“氧化雾”的高品质硅抛光片，确保IC产品电路特性不受影响。

在现有技术中，对硅片的背面采用干法喷砂制造吸杂源以消除硅抛光表面的氧化雾，通常是通过在运送硅片的传送带上方设置金刚砂喷嘴，通过金刚砂喷嘴向传送带2上的硅片喷洒金刚砂来实现。其中在金刚砂喷嘴的上方可设置一风罩1，用于排风除尘，对喷砂时飞扬的粉尘进行去除，如图1所示，图1是现有技术在传送带的上方设置风罩的示意图。尽管在金刚砂喷嘴的上方增设风罩1，可以起到一定的除尘效果，但由于风罩1与传送带2之间存在着较大的敞开的空间，在金刚砂喷洒时产生的大量粉尘仍会有部分飞扬进入大气，造成环境污染。

发明内容

本实用新型的目的在于，克服现有技术存在的缺陷，而提供一种新型结构的除尘风橱，所要解决的技术问题是使其通过在金刚砂喷嘴外设置除尘风橱，使除尘风橱由金刚砂喷嘴的上方延伸至硅片传送带的上表面，可以对喷砂时产生的粉尘进行有效控制，避免粉尘飞扬，非常适于实用。

本实用新型的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本实用新型提出的一种除尘风橱，用于硅片背面干法喷砂制造吸杂源以消除硅抛光表面氧化雾，其中所述除尘风橱为密闭式风橱，设置于硅片传送带的上方，并且由所述硅片传送带的上方向下延伸至所述硅片传送带的上表面；在所述除尘风橱内设有金刚砂喷嘴。

本实用新型的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的除尘风橱，其中在所述除尘风橱的顶部设有通孔，所述除尘风橱通过所述通孔与粉尘收集装置通过管道连通。

前述的除尘风橱，其中在所述除尘风橱正对所述金刚砂喷嘴的一面上设有可观察硅片背面金刚砂喷射打毛情况的有机玻璃门。

本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案，本实用新型一种除尘风橱至少具有下列优点及有益效果：本实用新型通过在金刚砂喷嘴外设置除尘风橱，使除尘风橱由金刚砂喷嘴的上方延伸至硅片传送带的上表面，可以对喷砂时产生的粉尘进行有效控制，避免粉尘飞扬。

上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图,详细说明如下。

附图说明

图1是现有技术在传送带的上方设置风罩的示意图。

图2是本实用新型在传送带上设置除尘风橱的示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本实用新型为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对依据本实用新型提出的一种除尘风橱其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。