[实用新型]快门装置以及光刻设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种快门装置以及光刻设备。

背景技术

光刻的本质是把临时电路结构复制到以后要进行刻蚀或离子注入的晶圆(wafer)上。这些结构首先以图形形式制作在掩膜板上。紫外光透过掩膜板把图形转移到晶圆表面的光敏薄膜上。

图1为现有技术中光刻设备的示意图。光刻设备1包括一可以产生光束101的光源11，所述光束101由所述光源11发出后，由整光系统12进行调节，使进入快门装置13的光束101的照射符合要求。然后，光束101在经过聚光器14后，照射到掩膜板15上，并将的图形复制到晶圆16上，以对所述晶圆16进行光刻工艺。

其中，所述快门装置13用于控制照射到所述掩膜板15上的光束101的量。在此，以ASML的I-Line机台为例进行具体说明，结合图2，所述快门装置13具有一壳体131，所述壳体131的一侧具有一固定面132，所述壳体131中具有使光束101通过的光通道133。在所述固定面132上固定有第一叶片134以及第二叶片136，所述第一叶片134为不透光的板，所述第一叶片134围绕第一转轴135旋转，当所述第一叶片134旋转到所述光束101的光程中时(即所述光通道133的上方)，所述第一叶片134挡住所述光束101，使得所述光束101不能穿过，从而实现所述光束101在所述掩膜板15上具有0%的量；当所述第一叶片134旋转到所述光束101的光程以外时(即不位于所述光通道133的上方)，所述第一叶片134不会挡住所述光束101，此时，需要配合所述第二叶片136的旋转以控制所述光束101在所述掩膜板15上具有多少的量。

ASML的I-Line机台中的所述第二叶片136围绕第二转轴137旋转，所述第二叶片136具有三个第一子叶片136a、第二子叶片136b以及第三子叶片136c，第一子叶片136a、第二子叶片136b以及第三子叶片136c上具有大小不等的透光孔，使得第一子叶片136a、第二子叶片136b以及第三子叶片136c的透光率依次分别为25%、50%和75%。在所述第一叶片134旋转到所述光束101的光程以外时：当所述第一子叶片136a停止到所述光束101的光程中，所述光束101在所述掩膜板15上的量为25%；当所述第二子叶片136b停止到所述光束101的光程中，所述光束101在所述掩膜板15上的量为50%；当所述第三子叶片136c停止到所述光束101的光程中，所述光束101在所述掩膜板15上的量为75%；当所述第二叶片136转动，使得所述光束101的光程位于所述第一子叶片136a和第三子叶片136c之间时，所述光束101在所述掩膜板15上的量为100%。

然而，ASML的I-Line机台在使用中，所述第一叶片134常常会被所述光束101击穿，从而不能完全阻挡所述光束101，使得所述光束101在所述掩膜板15上无法达到0%的量；另外，所述第二叶片136的旋转时通过马达进行控制的，但会出现所述第二叶片136的旋转与马达的旋转不同步的异常，从而无法精确控制所述光束101在所述掩膜板15上的量。但是现有技术中无法对上述异常情况进行实时监控，往往需要通过后续工艺中的关键尺寸(CD)的量测来监控，从而影响产能。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种快门装置以及光刻设备，能够有效地监控快门装置中常见的异常状态，减小对产品的影响。

为了实现上述目的，本实用新型提出一种快门装置以及光刻设备，所述快门装置具有一使光束通过的光通道，以及围绕一第一转轴旋转的第一叶片，其中，所述第一转轴位于所述光通道旁，所述第一叶片具有第一静止位置以及第二静止位置，所述第一叶片位于所述第一静止位置时，所述光束完全通过所述光通道，所述第一叶片位于所述第二静止位置时，所述光束全不通过所述光通道，所述快门装置还具有一可检测所述第一叶片透光性的第一探测器。

进一步的，在所述的光刻设备的快门装置中，所述第一静止位置位于所述第一转轴背离所述光通道的一侧。

进一步的，在所述的光刻设备的快门装置中，所述第一探测器位于所述第一转轴背离所述光通道的一侧。

进一步的，在所述的光刻设备的快门装置中，所述快门装置具有一控制所述光束通过率的第二叶片，所述第二叶片围绕一第二转轴旋转，所述第二叶片具有n个停止位置，所述快门装置还具有一可检测所述第二叶片位置的第二探测器，n为正整数。