[实用新型]边缘刻蚀装置有效
申请号: | 201320672783.9 | 申请日: | 2013-10-29 |
公开(公告)号: | CN203536375U | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 张海洋;张城龙 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/68;H01L21/673 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 边缘 刻蚀 装置 | ||
1.一种边缘刻蚀装置,用于晶圆的边缘刻蚀,包括相对设置的上电极组件和下电极组件,其特征在于,
所述上电极组件包括上电极,所述下电极组件包括下电极,所述上电极和下电极与所述晶圆具有重叠区域;
至少上电极组件或下电极组件固定所述晶圆。
2.如权利要求1所述的边缘刻蚀装置,其特征在于,所述上电极组件包括上PEZ环,所述下电极组件包括下PEZ环,所述上PEZ环和下PEZ环的外径小于所述晶圆的直径。
3.如权利要求2所述的边缘刻蚀装置,其特征在于,所述上电极位于所述上PEZ环边缘外侧,所述下电极位于所述下PEZ环边缘外侧;所述上电极和下电极与所述晶圆具有重叠区域。
4.如权利要求3所述的边缘刻蚀装置,其特征在于,所述重叠区域沿所述晶圆半径方向的尺寸为2mm-10mm。
5.如权利要求2所述的边缘刻蚀装置,其特征在于,所述PEZ环设置有凹槽。
6.如权利要求2所述的边缘刻蚀装置,其特征在于,还包括装载台,分别置于所述上PEZ环和下PEZ环中,并与所述上PEZ环和下PEZ环配合以固定至少一个所述晶圆。
7.如权利要求6所述的边缘刻蚀装置,其特征在于,所述装载台置于上PEZ环和下PEZ环中后与所述上PEZ环和下PEZ环中形成两个相对的凹槽,所述装载台中连接有真空泵,以便固定所述晶圆。
8.如权利要求1所述的边缘刻蚀装置,其特征在于,所述上电极组件和下电极组件还皆包括支撑架,每个所述支撑架对应连接所述上电极和下电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造