[实用新型]边缘刻蚀装置有效

专利信息
申请号: 201320672783.9 申请日: 2013-10-29
公开(公告)号: CN203536375U 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: 张海洋;张城龙 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065;H01L21/68;H01L21/673
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 100176 北京市大兴区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 边缘 刻蚀 装置
【权利要求书】:

1.一种边缘刻蚀装置,用于晶圆的边缘刻蚀,包括相对设置的上电极组件和下电极组件,其特征在于,

所述上电极组件包括上电极,所述下电极组件包括下电极,所述上电极和下电极与所述晶圆具有重叠区域;

至少上电极组件或下电极组件固定所述晶圆。

2.如权利要求1所述的边缘刻蚀装置,其特征在于,所述上电极组件包括上PEZ环,所述下电极组件包括下PEZ环,所述上PEZ环和下PEZ环的外径小于所述晶圆的直径。

3.如权利要求2所述的边缘刻蚀装置,其特征在于,所述上电极位于所述上PEZ环边缘外侧,所述下电极位于所述下PEZ环边缘外侧;所述上电极和下电极与所述晶圆具有重叠区域。

4.如权利要求3所述的边缘刻蚀装置,其特征在于,所述重叠区域沿所述晶圆半径方向的尺寸为2mm-10mm。

5.如权利要求2所述的边缘刻蚀装置,其特征在于,所述PEZ环设置有凹槽。

6.如权利要求2所述的边缘刻蚀装置,其特征在于,还包括装载台,分别置于所述上PEZ环和下PEZ环中,并与所述上PEZ环和下PEZ环配合以固定至少一个所述晶圆。

7.如权利要求6所述的边缘刻蚀装置,其特征在于,所述装载台置于上PEZ环和下PEZ环中后与所述上PEZ环和下PEZ环中形成两个相对的凹槽,所述装载台中连接有真空泵,以便固定所述晶圆。

8.如权利要求1所述的边缘刻蚀装置,其特征在于,所述上电极组件和下电极组件还皆包括支撑架,每个所述支撑架对应连接所述上电极和下电极。

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