[实用新型]边缘刻蚀装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体设备，特别涉及一种用于边缘刻蚀（bevel etch）中的边缘刻蚀装置。

背景技术

在半导体制造中，需要涉及到许许多多的工序，每道工序都是由一定的工艺及设备完成。等离子体刻蚀通常是在制作过程中必需的步骤，所述等离子体刻蚀是利用反应气体在获得能量后产生等离子体，包含离子、电子等带电粒子以及具有高度化学活性的中性原子、分子及自由基，通过物理和化学的反应对刻蚀对象进行刻蚀。

但是例如在刻蚀过程中，或者其他工艺过程中，在靠近晶圆边缘处（包括顶部、侧边及底部）经常会形成副产品，例如包含碳、氧、氮、氟等元素的聚合物，以及由于边缘效应而产生的低质量膜层等。尽管在晶圆的边缘附近通常不存在晶粒（die），但是随着这些副产品的存在会影响后续工艺。

例如在有源区刻蚀（AA etch）中，如图1所示，晶圆1的边缘处会产生区域A所示的形状，这种结构是不利于后续操作，也容易引入杂质。介于此，业内引入了边缘刻蚀（bevel etch）这一工艺，如图2所示，将晶圆1置于设备中，产生等离子体2对晶圆边缘进行刻蚀。然而，如图3所示，其为经过图2所示处理过程后的状况，可见尽管相比图1的区域A有所改善，但是均匀性较差，并且晶圆边缘侧边的刻蚀率要大于边缘顶部的刻蚀率。那么这对就使得实施过程难度变大，不利于获得高良率的产品。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种边缘刻蚀装置，改善现有技术中对边缘刻蚀效果不理想的情况。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种边缘刻蚀装置，用于晶圆的边缘刻蚀，包括相对设置的上电极组件和下电极组件，其中，

所述上电极组件包括上电极，所述下电极组件包括下电极，所述上电极和下电极与所述晶圆具有重叠区域；

至少上电极组件或下电极组件固定所述晶圆。

可选的，对于所述的边缘刻蚀装置，所述上电极组件包括上PEZ环，所述下电极组件包括下PEZ环，所述上PEZ环和下PEZ环的外径小于所述晶圆的直径。

可选的，对于所述的边缘刻蚀装置，所述上电极位于所述上PEZ环边缘外侧，所述下电极位于所述下PEZ环边缘外侧；所述上电极和下电极与所述晶圆具有重叠区域。

可选的，对于所述的边缘刻蚀装置，所述重叠区域沿所述晶圆半径方向的尺寸为2mm-10mm。

可选的，对于所述的边缘刻蚀装置，所述PEZ环设置有凹槽。

可选的，对于所述的边缘刻蚀装置，还包括装载台，分别置于所述上PEZ环和下PEZ环中，并与所述上PEZ环和下PEZ环配合以固定至少一个所述晶圆。

可选的，对于所述的边缘刻蚀装置，所述装载台置于上PEZ环和下PEZ环中后与所述上PEZ环和下PEZ环中形成两个相对的凹槽，所述装载台中连接有真空泵，以便固定所述晶圆。

可选的，对于所述的边缘刻蚀装置，所述上电极组件和下电极组件还皆包括支撑架，每个所述支撑架对应连接所述上电极和下电极。

与现有技术相比，在本实用新型提供的边缘刻蚀装置中，将所述边缘刻蚀装置的上电极和下电极向中心延伸，使得与晶圆形成了一部分重叠区域，那么产生的等离子体相比现有技术能够向晶圆中心延伸，从而提高了等离子体对晶圆边缘顶部区域的刻蚀率，提高了刻蚀效果。

此外，在本实用新型中，上电极组件和下电极组件都能够固定晶圆进行刻蚀，那么可以提高刻蚀效率，进而降低成本，提高了生产效率。

附图说明

图1为现有技术在有源区刻蚀后晶圆边缘的结构示意图；

图2为现有技术进行边缘刻蚀的示意图；

图3为现有技术进行边缘刻蚀后获得的晶圆的结构示意图；

图4为本实用新型的边缘刻蚀装置的剖视图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型的边缘刻蚀装置进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。