[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

具有第一和第二表面的半导体本体；

位于所述半导体本体的第一表面处的第一导电类型的源区；

第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区，分别沿从所述半导体本体的所述第一表面延伸到所述半导体本体的所述第二表面的方向；

位于所述源区和所述第一区之间的第二导电类型的体区，其中至少所述第二区接触所述体区，所述第一导电类型的第一区和所述第二导电类型的第二区在所述半导体本体中交替排列；

第一导电类型的半导体基础层，所述半导体基础层的至少一部分在所述半导体本体中位于所述第一和第二区下面；以及

位于所述半导体基础层下面的第一导电类型的漏区，

其特征在于，

所述第一导电类型的半导体基础层的位于所述第一和第二区下面的所述部分的厚度至少大于所述第一导电类型的第一区的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二区采用沟槽结构，并且所述第二区中的至少一些由被填充在其中的多个层构成。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，每个第二区中的多个层包括多个第二导电类型的掺杂层，并且每个第二区的邻近所述源区的上部的宽度大于该第二区的邻近所述漏区的下部的宽度。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，每个第二区中的多个层包括沉积在该第二区的内部侧壁上的第二导电类型的掺杂层和被该第二导电类型的掺杂层包围的未掺杂的硅层。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，每个第二区中的多个层包括沉积在该第二区的内部侧壁上的第二导电类型的掺杂层和被该第二导电类型的掺杂层包围的空隙区。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，每个第二区中的多个层包括沉积在该第二区的内部侧壁上的第一导电类型的掺杂层、沉积在该第一导电类型的掺杂层上的第二导电类型的掺杂层和被该第二导电类型的掺杂层包围的未掺杂或低掺杂的硅层。

7.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，每个第二区中的多个层包括沉积在该第二区的内部侧壁上的第一导电类型的掺杂层、沉积在该第一导电类型的掺杂层上的第二导电类型的掺杂层和被该第二导电类型的掺杂层包围的电介质层。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，位于所述第二区中的电介质层由SiO₂或Si₃N₄形成。

9.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，每个第二区中的多个层包括沉积在该第二区的内部侧壁上的第一导电类型的掺杂层、沉积在该第一导电类型的掺杂层上的第二导电类型的掺杂层和被该第二导电类型的掺杂层包围的空隙区。

10.根据权利要求1-9中的任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括介于所述第二导电类型的体区和所述第二区之间并且包围所述第二导电类型的体区的第二导电类型的另一体区，所述第二导电类型的另一体区的掺杂浓度低于所述第二导电类型的体区的掺杂浓度并且高于位于所述第二区中的第二导电类型的掺杂层的掺杂浓度。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述源区上方的将所述源区电连接到外部的接触插塞结构。

12.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体基础层由多个子层构成。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体基础层由在所述半导体本体的第二表面之上的具有第一掺杂浓度的第一层和在所述第一层之上的具有小于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的第二层构成。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体基础层的所述第一层由多个子层构成。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，所述多个子层的每一个的掺杂浓度沿着从所述源区到所述漏区的方向逐渐升高。

16.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体基础层的所述第一层和所述第二层均由多个子层构成。