[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于包括：

补偿区，其包括p区和n区；

位于所述补偿区上的包括栅电极的多个晶体管单元；

一个或多个用于电连接栅电极的互连，

其中所述栅电极具有比所述单元的节距的1/2小的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于所述栅电极的宽度比所述单元的节距的1/3小。

3.根据权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于所述栅电极包括多晶硅。

4.根据权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于所述互连包括多晶硅。

5.根据权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于至少一个所述互连与仅两个相邻的栅电极连接。

6.根据权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于至少一个所述互连与多于两个栅电极连接。

7.根据权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于所述半导体器件包括至少第一布线层和第二布线层。

8.根据权利要求7所述的半导体器件, 其特征在于所述第一布线层包括所述互连和所述栅电极。

9.根据权利要求8所述的半导体器件, 其特征在于所述第二布线层包括栅极条和栅极指中的至少一个和源极金属化部。

10.根据权利要求9所述的半导体器件, 其特征在于所述栅极条和栅极指中的至少一个通过栅极接触电连接至至少一个所述互连。

11.根据权利要求9所述的半导体器件, 其特征在于所述晶体管单元进一步包括源极区和本体区，并且所述源极金属化部通过插塞/源接触孔电连接至所述源极区和本体区。

12.根据权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于所述晶体管单元为条形。

13.根据权利要求12所述的半导体器件, 其特征在于所述互连位于所述晶体管单元的端部。

14.根据权利要求12所述的半导体器件, 其特征在于所述栅电极连接至所述晶体管单元端部处的栅极环或连接至所述晶体管单元的互连处的栅极指。

15.根据权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于所述互连以规则的距离布置在有源区中。

16.根据权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于所述栅电极彼此相互平行。

17.根据权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于所述栅电极具有平面结构。

18.根据权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于所述栅电极至少部分地位于沟槽中。

19.根据权利要求18所述的半导体器件, 其特征在于所述互连被实施为桥。

20.根据权利要求18所述的半导体器件, 其特征在于所述互连至少部分地位于沟槽中。

21.根据权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于进一步包括衬底和位于所述衬底和所述补偿区之间的缓冲层。

22.根据权利要求21所述的半导体器件, 其特征在于所述缓冲层其下部的掺杂浓度大于其上部的掺杂浓度。

23.根据权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于所述n区其下部的掺杂浓度大于其上部的掺杂浓度。

24.根据权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于所述晶体管单元进一步包括位于所述互连下方的本体区。

25.根据权利要求1所述的半导体器件, 其特征在于所述半导体器件是超结器件。