[实用新型]封装基板

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种封装基板。

背景技术

随着电子产业的发达，现今的电子产品已趋向轻薄短小与功能多样化的方向设计，半导体封装技术也随之开发出不同的封装方式。而针对不同的封装结构，也发展出各种封装用的封装基板。

现有堆叠封装(Package On Package；POP)基板，其一表面具有晶片设置区与堆叠连接区，晶片设置区与堆叠连接区中均具有焊垫。防焊层形成于基板表面上，且防焊层具有开孔以显露焊垫。在封装工艺过程中，可将半导体晶片电性连接晶片设置区的焊垫，且堆叠连接区的焊垫可通过锡球电性连接在另一封装结构的封装基板上。

然而，两个相叠的封装结构间需具有足够的垂直距离，才能让半导体晶片设置在两个封装基板之间。现有的堆叠封装结构以锡球的大小来控制两个封装基板间的垂直距离，也就是说，若半导体晶片的厚度较厚，则需使用直径较大的锡球来增加两个封装基板间的垂直距离。如此一来，不仅易造成相邻的两个锡球因接触而桥接短路，且堆叠连接区的相邻两个焊垫间的距离也需加大，因此堆叠连接区的焊垫位置的布局(layout)会有所局限。

实用新型内容

本实用新型的一个技术方案为一种封装基板。

根据本实用新型一实施方式，一种封装基板包含基板本体、绝缘保护层与多个堆叠导电柱。基板本体的表面具有晶片设置区与围绕晶片设置区的堆叠连接区。堆叠连接区具有多个堆叠焊垫。绝缘保护层设置在基板本体的表面上，且绝缘保护层具有多个第一开孔，使堆叠焊垫分别由第一开孔露出。堆叠导电柱分别设置在堆叠焊垫上。每一堆叠导电柱包含第一子部与第二子部。第一子部凸出于对应的第一开孔，且第一子部具有顶面与侧面。侧面邻接于顶面与绝缘保护层之间，且侧面形成斜坡。第一子部在水平方向的截面积由绝缘保护层往第一子部的顶面逐渐递减。第二子部设置在第一子部的顶面上。

在本实用新型一实施方式中，上述第二子部的宽度小于或等于第一子部的顶面的宽度。

在本实用新型一实施方式中，上述第二子部的高度大于第一子部的顶面与绝缘保护层表面间的垂直距离。

在本实用新型一实施方式中，上述晶片设置区具有多个覆晶焊垫，且绝缘保护层具有多个第二开孔，使覆晶焊垫分别由第二开孔露出。

在本实用新型一实施方式中，上述封装基板还包含多个覆晶导电柱。覆晶导电柱分别设置在覆晶焊垫上。

在本实用新型一实施方式中，上述每一覆晶导电柱具有相对的第一端与第二端。第一端位于对应的覆晶焊垫上，第二端凸出于对应的第二开孔。

在本实用新型一实施方式中，上述第二端的宽度小于对应的第二开孔的宽度。

在本实用新型一实施方式中，上述覆晶导电柱的第二端与第一子部的顶面位于同一水平面。

在本实用新型一实施方式中，上述每一堆叠导电柱的高度大于每一覆晶导电柱的高度。

在本实用新型上述实施方式中，由于封装基板具有设置在堆叠焊垫上的堆叠导电柱，且堆叠导电柱的高度可由工艺过程控制，因此在使用时，封装基板的堆叠连接区的堆叠导电柱可利用本身的高度而电性连接直径较小的锡球，使设置在封装结构的另一封装结构通过堆叠导电柱的高度便能与封装结构相隔足够的垂直距离。如此一来，不仅可防止相邻的两个锡球因接触而桥接短路，且堆叠连接区的相邻两个堆叠焊垫间的距离不需加大，因此对于堆叠焊垫布局(layout)具有较好的灵活度或较高的密度。

附图说明

图1为根据本实用新型一实施方式的封装基板的剖面图。

图2为图1的堆叠导电柱的局部放大图。

图3为图1的覆晶导电柱的局部放大图。

图4A～4J为图1的封装基板的制作方法的流程图。

具体实施方式

以下将以附图公开本实用新型的实施方式，为明确说明起见，许多具体的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些具体的细节不应用以限制本实用新型。也就是说，在本实用新型部分实施方式中，这些具体的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些现有惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式表示。