[实用新型]超薄两相耦合电感器有效
| 申请号： | 201320695252.1 | 申请日： | 2013-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN203552850U | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 张子军;涂代军;潘非;王艳红;牛伟 | 申请（专利权）人： | 东莞铭普光磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F17/04 | 分类号： | H01F17/04;H01F27/24;H01F27/30 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 谭一兵;蔡晓军 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超薄 两相 耦合 电感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种超薄两相耦合电感器，其特征在于，包括磁芯及箔式绕组，所述箔式绕组设于所述磁芯上，所述磁芯的两侧部均设有一模组，所述模组包括基板及若干铜片，所述基板为电木粉，所述铜片嵌设于所述基板中，所述铜片和基板一体注塑成型。
2.根据权利要求1所述的超薄两相耦合电感器，其特征在于，所述铜片呈U形，相邻两铜片之间的距离为0.7mm。
3.根据权利要求1所述的超薄两相耦合电感器，其特征在于，所述磁芯包括第一磁芯和第二磁芯，所述第一磁芯呈E形，所述第二磁芯呈I形；所述第一磁芯中部具有一中柱芯，所述第一磁芯的两侧部分别具有一侧边凸部，所述中柱芯低于所述侧边凸部。
4.根据权利要求3所述的超薄两相耦合电感器，其特征在于，所述中柱芯与两侧边凸部之间分别形成一容置槽，所述容置槽用于容置所述箔式绕组。
5.根据权利要求3所述的超薄两相耦合电感器，其特征在于，所述中柱芯的导磁率低于所述侧边凸部的导磁率。
6.根据权利要求1所述的超薄两相耦合电感器，其特征在于，所述箔式绕组呈S形，所述箔式绕组的两端部分别具有一卡持部。
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