[实用新型]一种非晶硅薄膜太阳能电池芯板有效
申请号: | 201320701823.8 | 申请日: | 2013-11-08 |
公开(公告)号: | CN203589047U | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 王芸;马立云;崔介东 | 申请(专利权)人: | 蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/0392 | 分类号: | H01L31/0392;H01L31/0445 |
代理公司: | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人: | 李浩 |
地址: | 233010 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 非晶硅 薄膜 太阳能电池 | ||
1.一种非晶硅薄膜太阳能电池芯板,其特征在于:包括依次连接的衬底层(1)、AZO薄膜层(2)、P型非晶硅碳薄膜层(3)、I型非晶硅薄膜层(4)、N型非晶硅薄膜层(5)、氧化锌薄膜层(6)、铝薄膜层(7),所述衬底层(1)采用硼硅磷酸盐玻璃。
2.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜太阳能电池芯板,其特征在于:所述衬底层(1)的厚度为2.00-2.20mm。
3.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜太阳能电池芯板,其特征在于:所述AZO薄膜层(2)的厚度为400-600nm,P型非晶硅碳薄膜层(3)的厚度为15-20nm,I型非晶硅薄膜(4)的厚度为400-500nm,N型非晶硅薄膜(5)的厚度为20-25nm,氧化锌薄膜(6)的厚度为80-100nm,铝薄膜层(7)的厚度为180-200nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的