[实用新型]一种非晶硅薄膜太阳能电池芯板有效
申请号: | 201320701823.8 | 申请日: | 2013-11-08 |
公开(公告)号: | CN203589047U | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 王芸;马立云;崔介东 | 申请(专利权)人: | 蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/0392 | 分类号: | H01L31/0392;H01L31/0445 |
代理公司: | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人: | 李浩 |
地址: | 233010 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 非晶硅 薄膜 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种薄膜太阳能电池芯板,尤其涉及一种非晶硅薄膜太阳能电池芯板。
背景技术
现有的非晶硅薄膜太阳能电池所用的衬底玻璃为钠钙硅玻璃,其紫外截止波长在380nm左右,即波长小于380nm的紫外光线不能透过玻璃衬底进入非晶硅薄膜光电吸收层,因此,损失了对这一部分光线的利用。为了更好的利用太阳能光源,需要对此结构进行改进。
发明内容
本实用新型目的是克服现有技术存在的上述缺点,提供一种非晶硅薄膜太阳能电池芯板。
为实现上述目的,本实用新型所采用的技术手段是:一种非晶硅薄膜太阳能电池芯板,包括依次连接的衬底层、AZO薄膜层、P型非晶硅碳薄膜层、I型非晶硅薄膜层、N型非晶硅薄膜层、氧化锌薄膜层、铝薄膜层,所述衬底层采用硼硅磷酸盐玻璃。
进一步的,所述衬底层的厚度为2.00-2.20mm。
进一步的,所述AZO薄膜层2的厚度为400-600nm,P型非晶硅碳薄膜层3的厚度为15-20nm,I型非晶硅薄膜4的厚度为400-500nm,N型非晶硅薄膜5的厚度为20-25nm,氧化锌薄膜6的厚度为80-100nm,铝薄膜层7的厚度为180-200nm。
本实用新型的有益效果是:本结构能更好地透过紫外光线,使得非晶硅薄膜可以吸收紫外光子的能量,并将光能转换为电能,提高非晶硅薄膜太阳能电池的光电转换效率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1 是本实用新型的结构示意图。
图中:1、衬底层,2、AZO薄膜层,3、P型非晶硅碳薄膜层,4、I型非晶硅薄膜层,5、N型非晶硅薄膜层,6、氧化锌薄膜层,7、铝薄膜层。
具体实施方式
如图1所示的一种非晶硅薄膜太阳能电池芯板,包括依次连接的衬底层1、AZO薄膜层2、P型非晶硅碳薄膜层3、I型非晶硅薄膜层4、N型非晶硅薄膜层5、氧化锌薄膜层6、铝薄膜层7,所述衬底层1采用硼硅磷酸盐玻璃。
进一步的,所述衬底层1的厚度为2.00-2.20mm。
进一步的,所述AZO薄膜层2的厚度为400-600nm,P型非晶硅碳薄膜层3的厚度为15-20nm,I型非晶硅薄膜4的厚度为400-500nm,N型非晶硅薄膜5的厚度为20-25nm,氧化锌薄膜6的厚度为80-100nm,铝薄膜层7的厚度为180-200nm。
本结构的衬底层1为硼硅磷酸盐玻璃,其厚度为2.00-2.20mm,通过调整玻璃组成中SiO2、B2O3、P2O5的比例,使得其在25-500℃的平均热膨胀系数为55-60X10-7/℃,其在200-300nm的平均紫外光透过率为50%-55%;将其余各层依次镀膜。
以此硼硅磷酸盐玻璃作为衬底板的非晶硅薄膜太阳能电池芯板与常规的以钠钙硅酸盐玻璃为衬底板的太阳能电池芯板的光电转换效率相比,其提高了约0.5%,相同工艺条件下两者的电流密度与光电转换效率分别为12.51mA/cm2(钠钙硅酸盐玻璃)、12.92mA/cm2(硼硅磷酸盐玻璃)与8.2%(钠钙硅酸盐玻璃)、8.7%(硼硅磷酸盐玻璃)。
本实施例只用作对本装置功能的解释,并不作为对本装置的限定,本领域技术人员根据本装置结构进行的简单替换,包含在本专利的权利保护范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的